onsemi 4N26M
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.40.80.00
Introduction Date2001-08-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi 4N26M fournies par ses distributeurs.
Optocoupler DC-IN 1-CH Transistor With Base DC-OUT 6-Pin PDIP White Bulk
Avnet Japan
DIP6 Through Hole Single Channel 30 V 4170 VAC (RMS) Phototransistor Optocoupler
6-Pin DIP Package Phototransistor Output Optocoupler
30V 4170V 0.5V@2mA,50mA 1 6V 1.18V DC DIP-6 Optocouplers - Phototransistor Output ROHS
Transistor Output Optocoupler, 1-Element, 7500V Isolation
6-DIP (0.300 7.62mm) 1 DC Active Optoisolator Transistor Output 20% @ 10mA 4170Vrms 60mA -40C~100C
The general purpose optocouplers consist of a galliumarsenide infrared emitting diode driving a silicon phototransistorin a 6-pin dual in-line package.
OPTOCOUPLER, TRANSISTOR O/P; No. of Channels:1; Isolation Voltage:7.5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Input Current:10mA; Output Voltage:30V; Opto Case Style:DIP; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:CSA; Breakover Voltage Min:30V; Current Transfer Ratio Min:20%; Fall Time tf:4.5µs; Forward Current If(AV):10mA; Operating Temperature Range:-55°C to +100°C; Output Type:Phototransistor; Rise Time:2.8µs; Row Pitch:9mm
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageDIP
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins6
Weight855 mg
Technical
Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)500 mV
Current Transfer Ratio20 %
Dark Current50 nA
Fall Time2 µs
Forward Current60 mA
Forward Voltage1.5 V
Input Current10 mA
Isolation Voltage4170 Vrms
Max Input Current60 mA
Max Operating Temperature100 °C
Max Output Voltage30 V
Max Power Dissipation150 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Circuits1
Number of Elements1
Output Voltage30 V
PackagingBulk
Power Dissipation200 mW
Reverse Breakdown Voltage6 V
Schedule B8541408000
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité