onsemi 2SC5242RTU
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Pièces de rechange
Ce composant
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$ 1.418
$ 2.014
$ 2.014
Stock
75,313
156,310
156,310
Authorized Distributors
2
2
2
Mount
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
-
TO-264
TO-264
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
250 V
250 V
250 V
Max Collector Current
17 A
17 A
17 A
Transition Frequency
30 MHz
30 MHz
30 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
-
-
-
hFE Min
55
55
55
Power Dissipation
130 W
150 W
150 W
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2003-03-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2018-06-22
LTD Date2018-12-22
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Pièces détachées
onsemiFJA4313OTU
TRANS NPN 250V 17A TO3PN / Bipolar (BJT) Transistor NPN 250 V 17 A 30MHz 130 W Through Hole TO-3PN
onsemiFJA4313RTU
Power Bipolar Transistor, 17A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
onsemi2SC5242OTU
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 250 V, 17 A, 130 W, TO-3P, Through Hole
Toshiba2SC5242-O(Q)
Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 230V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
ToshibaTTC5200(Q)
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 230 V, 15 A, 150 W, TO-3P, Through Hole
Toshiba2SC5200-O(Q)
Single Bipolar Transistor, NPN, 230 V, 15 A, 150 W, TO-3PL, 3 Pins, Through Hole
Descriptions
Descriptions de onsemi 2SC5242RTU fournies par ses distributeurs.
Power Bipolar Transistor, 17A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Trans GP BJT NPN 250V 17A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
NPN Epitaxial Silicon Transistor
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 17A, 2
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.401 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)250 V
Collector Emitter Breakdown Voltage250 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)250 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency30 MHz
Gain Bandwidth Product30 MHz
hFE Min55
Max Collector Current17 A
Max Frequency30 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation130 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation130 W
Transition Frequency30 MHz
Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité