onsemi 2SA1943OTU
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Pièces de rechange
Ce composant
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Price @ 1000
$ 2.36
$ 3.05
$ 3.05
Stock
300,175
433,515
433,515
Authorized Distributors
6
5
5
Mount
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-264
TO-264
TO-264
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
250 V
250 V
250 V
Max Collector Current
17 A
17 A
17 A
Transition Frequency
30 MHz
30 MHz
30 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
-3 V
-400 mV
-400 mV
hFE Min
80
80
80
Power Dissipation
150 W
150 W
150 W
Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2003-01-03
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 19 hours ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 19 hours ago)
Pièces détachées
onsemi2SA1943RTU
2SA1943 Series 250 V CE Breakdown 17 A PNP Epitaxial Silicon Transistor TO-264
onsemi2SC5200OTU
Power Bipolar Transistor, 17A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-264AA, Plastic/Epoxy, 3 Pin
onsemi2SC5200RTU
Power Bipolar Transistor, 17A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-264AA, Plastic/Epoxy, 3 Pin
onsemiNJL21193DG
Tube Through Hole PNP SINGLE WITH BUILT-IN DIODE Bipolar (BJT) Transistor 25 @ 8A 5V 16A 200W 4MHz
Descriptions
Descriptions de onsemi 2SA1943OTU fournies par ses distributeurs.
Power Bipolar Transistor, 17A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-264AA, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Bipolar Transistors - BJT PNP 250V 15A 150W
Trans GP BJT PNP 250V 17A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -250V, TO-264-3; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -250V; Transition Frequency ft: 30MHz; Power Dissipation Pd: 150W; DC Collector Current: -17A; DC Current Gain hFE: 80hFE;
onsemi PNPTransistor, TO-264encapsulation, Through hole mounting, Maximum DC collector current-17 A, maximum collector-emission voltage-250 V
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-264
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.756 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-250 V
Collector Emitter Breakdown Voltage250 V
Collector Emitter Saturation Voltage-3 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)250 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency30 MHz
Gain Bandwidth Product30 MHz
hFE Min80
Max Collector Current17 A
Max Frequency30 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Operating Temperature-50 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation150 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency30 MHz
Dimensions
Height26 mm
Length20 mm
Width5 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité