onsemi 2N7002DW
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Pièces de rechange
Ce composant
Pièces de rechange
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Stock
3,553,416
54,851,797
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Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SC
SOT-363
SOT-363
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
115 mA
115 mA
115 mA
Threshold Voltage
1.76 V
2 V
2 V
Rds On Max
7.5 Ω
7.5 Ω
7.5 Ω
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
200 mW
310 mW
310 mW
Input Capacitance
50 pF
50 pF
50 pF
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date2007-10-08
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
VishaySI1026X-T1-GE3
SI1026X-T1-GE3 DUAL N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 0.3 A, 60 V, 6-PIN SC-89
VishaySI1926DL-T1-E3
Si1926DL Series Dual N Channel 60 V 1.4 Ohm Surface Mount Power Mosfet - SOT-363
InfineonBSR92PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 250V 140MA SC59 / P-Channel 250 V 140mA (Ta) 500mW (Tc) Surface Mount PG-SC59-3
Descriptions
Descriptions de onsemi 2N7002DW fournies par ses distributeurs.
N-Channel MOSFET, Enhancement Mode, 60V, 0.115A, 2Ω
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 60V 0.115A 6-Pin SOT-363 T/R
Avnet Japan
N-Channel 60 V 7.5 Ohm SMT Enhancement Mode Field Effect Transistor - SOT-363
MOSFET, DUAL N CH, 60V, 115MA, SOT-363;; MOSFET, DUAL N CH, 60V, 115MA, SOT-363; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:115mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):1.6ohm; Rds(on) Test
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Highlights: Dual N-Channel MOSFET Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage Ultra-Small Surface Mount Package Lead Free/RoHS Compliant
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Dual / Continuous Drain Current (Id) mA = 115 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 60 / ON Resistance (Rds(on)) Ohm = 7.5 / Gate-Source Voltage V = 20 / Turn-OFF Delay Time ns = 20 / Turn-ON Delay Time ns = 20 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SOT-363 / Pins = 6 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 260 / Power Dissipation (Pd) mW = 200
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Pièces de rechange
1 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight28 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)115 mA
Drain to Source Breakdown Voltage78 V
Drain to Source Resistance2 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationDual
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance50 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.76 V
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingCut Tape
Power Dissipation200 mW
Rds On Max7.5 Ω
Resistance7.5 Ω
Schedule B8541210080
Threshold Voltage1.76 V
Turn-Off Delay Time12.5 ns
Turn-On Delay Time5.85 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length2 mm
Width1.25 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité