onsemi 2N6517BU
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Stock
604,843
594,827
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Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-92-3
TO-92
TO-92
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
350 V
350 V
350 V
Max Collector Current
500 mA
500 mA
500 mA
Transition Frequency
40 MHz
40 MHz
40 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
1 V
1 V
hFE Min
15
15
15
Power Dissipation
625 mW
625 mW
625 mW
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi 2N6517BU fournies par ses distributeurs.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
2N6517 Series 350 V 0.5 A 625 mW NPN Epitaxial Silicon Transistor - TO-92-3
Transistor 2N6517 NPN General Purpose Amplifier 350Volt TO-92
Power Bipolar Transistor, NPN, 80 V, 15 A. ONSSPCTRNSTVU6M5P;
1V@ 5mA,50mA NPN 625mW 6V 50nA 350V 350V 500mA TO-92-3 4.7mm*3.93mm*4.7mm
Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
TRANSISTOR NPN 350V 500MA TO-92
50nA 350V 625mW 500mA 30@30mA10V 40MHz NPN 1V@50mA5mA +150¡Í@(Tj) TO-92-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
TRANSISTOR, NPN, 350V, 0.5A, TO-92-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 350V; Transition Frequency ft: 200MHz; Power Dissipation Pd: 1.5; Available until stocks are exhausted Alternative available
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-92-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight179 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)350 V
Collector Emitter Breakdown Voltage350 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)350 V
Current Rating500 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency200 MHz
Gain Bandwidth Product200 MHz
hFE Min15
Max Collector Current500 mA
Max Frequency200 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation625 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation625 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency40 MHz
Voltage Rating (DC)350 V
Dimensions
Height8.77 mm
Length4.58 mm
Width3.86 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité