onsemi 2N5551
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Stock
4,656,412
2,025,292
2,025,292
Authorized Distributors
3
6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-92-3
TO-92-3
TO-92-3
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
160 V
160 V
160 V
Max Collector Current
600 mA
600 mA
600 mA
Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
200 mV
150 mV
150 mV
hFE Min
30
30
30
Power Dissipation
1.5 W
625 mW
625 mW
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginUSA
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.75
Introduction Date1974-07-02
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2003-11-04
LTD Date2004-05-04
Pièces détachées
onsemi2N5551RLRM
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
Descriptions
Descriptions de onsemi 2N5551 fournies par ses distributeurs.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226AA
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bulk
600 mA 160 V NPN Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR TO-92
200mV@ 50mA,5mA NPN 625mW 6V 50nA 180V 160V 600mA TO-226,TO-92 5.33mm
TRANSISTOR, NPN, TO-92; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:160V; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:600mA; DC Current Gain hFE:80; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-92; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Collector Emitter Voltage Vces:150mV; Continuous Collector Current Ic Max:600mA; Current Ic Continuous a Max:600mA; Current Ic hFE:10mA; Device Marking:2N5551; Gain Bandwidth ft Min:100MHz; Gain Bandwidth ft Typ:300MHz; Hfe Min:80; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-92; Pin Configuration:b; Power Dissipation Pd:625mW; Power Dissipation Ptot Max:350mW; Termination Type:Through Hole; Voltage Vcbo:180V
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-92-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)180 V
Collector Emitter Breakdown Voltage160 V
Collector Emitter Saturation Voltage200 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)160 V
Current600 mA
Current Rating600 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Gain Bandwidth Product300 MHz
hFE Min30
Max Collector Current600 mA
Max Frequency300 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation350 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation1.5 W
Transition Frequency100 MHz
Voltage160 V
Voltage Rating (DC)160 V
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité