onsemi 2N3904TF
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9,159,539
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6
6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-92
TO-92
TO-92
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
40 V
40 V
40 V
Max Collector Current
200 mA
200 mA
200 mA
Transition Frequency
300 MHz
300 MHz
300 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
200 mV
300 mV
300 mV
hFE Min
30
30
30
Power Dissipation
625 mW
625 mW
625 mW
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-07-26
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi 2N3904TF fournies par ses distributeurs.
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 200 mA, 625 mW, TO-92, Through Hole
Transistor General Purpose BJT NPN 40 Volt 0.2 Amp 3-Pin TO-92 Tape And Reel
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
200 mA, 40 V NPN General Purpose Bipolar Junction Transistor
2N3904 Series 40 V CE Breakdown 0.2 A NPN General Purpose Amplifier - TO-92
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
300mV@ 5mA,50mA NPN 625mW 6V 200mA 60V 40V 200mA TO-92-3 4.7mm*3.93mm*4.7mm
Bipolar Transistors - BJT NPN 40V 200mA
TRANSISTOR NPN 40V 200MA TO-92
40V 625mW 200mA 100@10mA1V 300MHz 300mV@50mA5mA NPN -55¡Í~+150¡Í@(Tj) TO-92-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
This device is designed as a general purpose amplifier and switch. The useful dynamic range extends to 100 mA as a switch and to 100 MHz as an amplifier.
TRANSISTOR, NPN, 40V, TO-92; Transistor; TRANSISTOR, NPN, 40V, TO-92; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:300MHz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:200mA; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:3
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-92
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight240 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage40 V
Collector Emitter Saturation Voltage200 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Current Rating200 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency300 MHz
Gain Bandwidth Product300 MHz
hFE Min30
Max Breakdown Voltage40 V
Max Collector Current200 mA
Max Frequency300 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation350 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation625 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency300 MHz
Voltage Rating (DC)40 V
Dimensions
Height8.77 mm
Length5.2 mm
Width4.19 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité