Omron EE-SX1103
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 EE Concierge | SymboleEmpreinte | ||
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Descriptions
Descriptions de Omron EE-SX1103 fournies par ses distributeurs.
Photo Micro Sensor 1.3 V Typ/1.6 V Max at 50mA 0.4 mm Sensing Aperture Distance
Fork coupler Dimensions L x W x H: 5 x 4 x 5 mm Gap width: 2 mm Operating temperature: -25...+85 °C Break-time: 10 us Make-time: 10 us Output collector-emitter voltage: 30 V
Optical Sensor (Switch) Transmissive / Slotted Interrupter No. of Channels:1; Optocoupler Output Type:Transistor; Input Current:50mA; Opto Case Style:DIP; Input Current Max:50mA; Leaded Process Compatible:No
PHOTO INTERRUPTER, TRANSMISSIVE, 2MM; Sensor Output: Phototransistor; Sensor Mounting: Through Hole; Gap Width: 2mm; Aperture Width: 0.4mm; Forward Current If: 50mA; Reverse Voltage Vr: 5V; Forward Voltage: 1.3V; Product Range:
Alias du fabricant
Omron possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Omron peut également être connu sous les noms suivants :
- Omron Electronics
- Omron Electronics Inc-EMC Div
- Omron Automation and Safety
- Omron Electronic Components
- OMR
- OMROM
- OMRO
- OMRON INDUSTRIAL AUTOMATION
- OMRON STI
- OMRON Corporation
- OMRN
- OMRON CORP
- OMRON INDUSTRIAL
- Omron Automation
- OMRON-IA
- OMRON ELECTRONICS INC
- Omron Automation & Safety
- Omron Electronics LLC
- Omron Electronics Inc-IA Div
- Omron Electronics Inc-ECB Div
- OMRON Electronic Components LLC
- OMRON SAFETY
- OMRON ELECTRONI
- OMRONELEC
- OMRON GMBH
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Spécifications techniques
Physical
MountPCB, Through Hole
Number of Pins4
Technical
Ambient Temperature Range High85 °C
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Dark Current500 nA
Fall Time10 µs
Forward Current50 mA
Forward Voltage1.3 V
Input Current50 mA
Max Collector Current30 mA
Max Input Current50 mA
Max Operating Temperature85 °C
Max Output Current30 mA
Max Power Dissipation80 mW
Min Operating Temperature-25 °C
Number of Channels1
Number of Circuits1
Number of Elements1
Output ConfigurationPhototransistor
Output TypePhototransistor
Output Voltage30 V
PackagingBulk
Peak Wavelength950 nm
Power Dissipation80 mW
Response Time10 µs
Reverse Breakdown Voltage5 V
Reverse Voltage5 V
Reverse Voltage (DC)5 V
Rise Time10 µs
Sensing Distance2 mm
TerminationSolder
Wavelength950 nm
Dimensions
Height5.4 mm
Width400 µm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant