Omron EE-SV3-D
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Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Introduction Date1994-07-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 weeks ago)
LTB Date2026-03-31
LTD Date2026-06-30
Descriptions
Descriptions de Omron EE-SV3-D fournies par ses distributeurs.
850nm Through-Beam 3.4mm 4¦Ìs,4¦Ìs Phototransistor PCB, 19mm*15.1mm*10.4mm
Optical Switches, Transmissive, Phototransistor Output PHOTO MICROSENSOR
Transmissive Types with Phototransistor Output, Coad Soldering, RoHS
Omron SCT
Transistor Output Slotted Switch, 1-Channel, 3.4mm Slot Width
Photointerrupter Transmissive 3.4mm Phototransistor 4-Pin
PHOTO MICROSENSOR | Omron Electronic Components EE-SV3-D
Photo micro sensor interrupters
SENSOR OPT SLOT PHOTOTRAN PCB MT
SENSR OPTO SLOT 3.4MM TRANS THRU
PHOTO TRANSMISSIVE, 3.4MM, TRANSISTOR, PANEL; Sensor Output Type:Phototransistor; Sensor Mounting:Panel / Chassis; Product Range:EE Series; Aperture Width:0.2mm; Forward Current If:50mA; Forward Voltage:1.2V; Gap Width:3.4mm RoHS Compliant: Yes
Alias du fabricant
Omron possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Omron peut également être connu sous les noms suivants :
- Omron Electronics
- Omron Electronics Inc-EMC Div
- Omron Automation and Safety
- Omron Electronic Components
- OMR
- OMROM
- OMRO
- OMRON INDUSTRIAL AUTOMATION
- OMRON STI
- OMRON Corporation
- OMRN
- OMRON CORP
- OMRON INDUSTRIAL
- Omron Automation
- OMRON-IA
- OMRON ELECTRONICS INC
- Omron Automation & Safety
- Omron Electronics LLC
- Omron Electronics Inc-IA Div
- Omron Electronics Inc-ECB Div
- OMRON Electronic Components LLC
- OMRON SAFETY
- OMRON ELECTRONI
- OMRONELEC
- OMRON GMBH
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Spécifications techniques
Physical
MountThrough Hole
Number of Pins4
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Dark Current200 nA
Fall Time4 µs
Forward Current50 mA
Forward Voltage1.2 V
Max Collector Current20 mA
Max Operating Temperature85 °C
Min Operating Temperature-25 °C
Number of Circuits1
Number of Elements1
Output ConfigurationPhototransistor
PackagingBulk
Power Dissipation100 mW
Response Time4 µs
Reverse Breakdown Voltage4 V
Reverse Voltage (DC)4 V
Rise Time4 µs
Schedule B8541408000
Sensing Distance3.4 mm
Wavelength850 nm
Dimensions
Width200 µm
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