NXP Semiconductors PMDPB70EN,115
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Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-04-26
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2015-06-30
LTD Date2015-12-31
Pièces détachées
Descriptions
Descriptions de NXP Semiconductors PMDPB70EN,115 fournies par ses distributeurs.
Tape & Reel (TR) Surface Mount 2N-Channel (Dual) Dual Mosfet Array 4.5nC @ 10V 3.5A 510mW 5ns
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Trans MOSFET N-CH 30V 3.5A 6-Pin HUSON EP T/R
30 V, dual N-channel Trench MOSFET
PMDPB70EN - SMALL SIGNAL, HUSON6
Alias du fabricant
NXP Semiconductors possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. NXP Semiconductors peut également être connu sous les noms suivants :
- NXP
- PHILIPS
- PHIL
- NXP USA Inc
- PHI
- PHILLIPS
- NXP SEMI
- NXP SEMICONDUCTOR
- PHILIPS/NXP
- PHILIPS SEMICONDUCTORS
- PHILIP
- NXP/PHILIPS
- PHILIPS SEMICONDUCTOR
- PHILPS
- PHILIPS COMPONENTS
- PHILIPS SEMI
- PHL
- PHLIPS
- NXP Semicon
- NXP / Freescale
- PHILL
- PHILIPS ECG
- Philips Semiconducto
- PHILLIP
- PHILI
- Philips Semiconductors
- NXP Semiconductors NV
- NXP
Historique des stocks
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT
Contact PlatingTin
Number of Pins6
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance57 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationDual
Fall Time5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance130 pF
Max Dual Supply Voltage30 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation8.33 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingDigi-Reel®
Power Dissipation1.165 W
Rds On Max57 mΩ
Rise Time16 ns
Turn-Off Delay Time15 ns
Turn-On Delay Time3 ns
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Conformité
Classification environnementale
Radiation HardeningNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité