NXP Semiconductors PDTC114ET

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
Production
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DistributorSKUMinPkg
UnikeyICPDTC114ET27 0003K
11h
Component Stockers USAPDTC114ET432
2d
Worldway ElectronicsPDTC114ET6 0547
12h
AztechPDTC114ET4 018
9h
RC ElectronicsPDTC114ET120 1991
>1wk

Fiches techniques et documents

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1995-02-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2004-06-30

Pièces détachées

onsemiFJV3102RMTF
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Détails
Diodes Inc.DDTC114ECA-7-F
DDTC114CA Series NPN 50 V 100 mA Digital Transistor Surface Mount - SOT-23-3
Détails
Diodes Inc.DDTC143XCA-7-F
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Single NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm
Détails
Diodes Inc.DDTC114GCA-7-F
DDTC Series NPN 50 V 100 mA 200 mW Pre-Biased Small Signal Transistor - SOT-23
Détails
onsemiKSC1623OMTF
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Détails
onsemiFJV3114RMTF
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Détails

Descriptions

Descriptions de NXP Semiconductors PDTC114ET fournies par ses distributeurs.

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
Semicontronic
50 V, 100 MILLI AMPERE NPN resistor-equipped transistor; R1 = 10 KILO OHM, R2 = 10 KILO OHM
Rebound Electronics
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin TO-236AB
Verical
100 mA 50 V NPN Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR TO-236AB
Component Stockers USA
Bias Resistor Transistor; Transistor Type:Small Signal Digital (BRT); Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:50V; Continuous Collector Current, Ic:100mA; Base Input Resistor, R1:10kohm ;RoHS Compliant: Yes
Newark
TRANSISTOR, DIGITAL, SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:30; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Collector Emitter Voltage Vces:150mV; Continuous Collector Current Ic Max:100mA; Current Ic Continuous a Max:100mA; Current Ic hFE:5mA; Hfe Min:30; No. of Transistors:1; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:250mW; Power Dissipation Ptot Max:250mW; SMD Marking:p/t16; Termination Type:SMD; Transistor Type:Bias Resistor (BRT); Voltage Vcbo:50V
element14 APAC
Transistor Polarity = NPN / Configuration = Single / Continuous Collector Current (Ic) mA = 100 / DC Current Gain (hFE) = 30 / Power Dissipation (Pd) mW = 250 / Typical Input Resistor kOhm = 10 / Typical Resistor Ratio kOhm = 1 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = 50 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 50 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = 10 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Operating Temperature Min. °C = -65 / Package Type = SOT-23 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Automotive Qualification Standard = AEC-Q101 / Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)) mV = 150 / Reflow Temperature Max. °C = 260 / Operating Frequency MHz = 230
Distrelec

Images

Farnell
element14
Distrelec

Alias du fabricant

NXP Semiconductors possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. NXP Semiconductors peut également être connu sous les noms suivants :

  • NXP
  • PHILIPS
  • PHIL
  • NXP USA Inc
  • PHI
  • PHILLIPS
  • NXP SEMI
  • NXP SEMICONDUCTOR
  • PHILIPS/NXP
  • PHILIPS SEMICONDUCTORS
  • PHILIP
  • NXP/PHILIPS
  • PHILIPS SEMICONDUCTOR
  • PHILPS
  • PHILIPS COMPONENTS
  • PHILIPS SEMI
  • PHL
  • PHLIPS
  • NXP Semicon
  • NXP / Freescale
  • PHILL
  • PHILIPS ECG
  • Philips Semiconducto
  • PHILLIP
  • PHILI
  • Philips Semiconductors
  • NXP Semiconductors NV
  • NXP