NXP Semiconductors MRFG35003N6AT1
$ 13.352
Obsolete
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | MRFG35003N6AT1 | 6 700 | 16h | |||||||||
| UnikeyIC | MRFG35003N6AT1 | 6 338 | 9 | Cut Tape | 17h | |||||||
| Verical | MRFG35003N6AT1 | 700 | 25 | |||||||||
| DigiKey | 568-15040-1-ND | 448 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Newark | MRFG35003N6AT1 | 0 | 260 | Tape & Reel |
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00
Introduction Date2007-07-24
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 months ago)
LTB Date2022-05-06
LTD Date2023-05-06
Descriptions
Descriptions de NXP Semiconductors MRFG35003N6AT1 fournies par ses distributeurs.
RF Power Transistor,500 to 5000 MHz, W, Typ Gain in dB is 10 @ 3550 MHz, 6 to 6 V, GaAs, SOT1811
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET
RF Power Field Effect Transistor
GaAs pHEMT Power FET, 3.5 GHz, 3 W , 6 V, PLD4L
NXP Semiconductors SCT
RF MOSFET PHEMT FET 6V PLD-1.5
Trans JFET 8V GaAs pHEMT 3-Pin PLD-1.5 T/R
Alias du fabricant
NXP Semiconductors possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. NXP Semiconductors peut également être connu sous les noms suivants :
- NXP
- PHILIPS
- PHIL
- NXP USA Inc
- PHI
- PHILLIPS
- NXP SEMI
- NXP SEMICONDUCTOR
- PHILIPS/NXP
- PHILIPS SEMICONDUCTORS
- PHILIP
- NXP/PHILIPS
- PHILIPS SEMICONDUCTOR
- PHILPS
- PHILIPS COMPONENTS
- PHILIPS SEMI
- PHL
- PHLIPS
- NXP Semicon
- NXP / Freescale
- PHILL
- PHILIPS ECG
- Philips Semiconducto
- PHILLIP
- PHILI
- Philips Semiconductors
- NXP Semiconductors NV
- NXP
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Spécifications techniques
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight280.00824 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.9 A
Drain to Source Voltage (Vdss)8 V
Frequency3.55 GHz
Gain10 dB
Gate to Source Voltage (Vgs)-5 V
Max Operating Temperature85 °C
Min Breakdown Voltage8 V
Number of Elements1
Output Power450 mW
PackagingTape and Reel
Schedule B8541290080
Test Current180 mA
Test Voltage6 V
Voltage Rating8 V
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité