NXP Semiconductors BSH111,215
$ 0.107
Obsolete
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | BSH111,215 | 212 734 | 2799 | |||||||||
| Rochester Electronics | BSH111,215 | 328 724 | 19h | |||||||||
| Microchip USA | BSH111,215 | 230 | 3500 | 16h | ||||||||
| Worldway Electronics | BSH111,215 | 13 620 | 7 | Tape & Reel | 19h | |||||||
| Fmall Co., Limited | BSH111,215 | 30 500 | 3d |
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.75
Introduction Date2002-04-29
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2015-06-30
LTD Date2015-12-31
Descriptions
Descriptions de NXP Semiconductors BSH111,215 fournies par ses distributeurs.
NEXPERIA - BSH111,215 - MOSFET Transistor, N Channel, 335 mA, 55 V, 2.3 ohm, 4.5 V, 1 V
Trans MOSFET N-CH 55V 0.335A 3-Pin TO-236AB T/R
Mosfet, N Channel, 55V, 335Ma, 3-Sot-23
335 mA 55 V N-CHANNEL Si SMALL SIGNAL MOSFET TO-236AB
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.335A I(D), 55V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
N-channel TrenchMOS extremely low level FET
MOSFET, N, SOT-23; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 335mA; Drain Source Voltage Vds: 55V; On Resistance Rds(on): 2.3ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5V; Threshold Voltage Vgs: 1V; Power Dissipation
Alias du fabricant
NXP Semiconductors possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. NXP Semiconductors peut également être connu sous les noms suivants :
- NXP
- PHILIPS
- PHIL
- NXP USA Inc
- PHI
- PHILLIPS
- NXP SEMI
- NXP SEMICONDUCTOR
- PHILIPS/NXP
- PHILIPS SEMICONDUCTORS
- PHILIP
- NXP/PHILIPS
- PHILIPS SEMICONDUCTOR
- PHILPS
- PHILIPS COMPONENTS
- PHILIPS SEMI
- PHL
- PHLIPS
- NXP Semicon
- NXP / Freescale
- PHILL
- PHILIPS ECG
- Philips Semiconducto
- PHILLIP
- PHILI
- Philips Semiconductors
- NXP Semiconductors NV
- NXP
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)335 mA
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance4 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Dual Supply Voltage55 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)10 V
Input Capacitance40 pF
Max Dual Supply Voltage55 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation830 mW
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-65 °C
Nominal Vgs1 V
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation830 mW
Rds On Max4 Ω
Resistance4 Ω
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time11 ns
Dimensions
Height1 mm
Length3 mm
Width1.4 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité