NXP Semiconductors BFU590GX
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Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00
Introduction Date2014-04-28
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2026-03-31
LTD Date2028-06-30
Pièces détachées
Diodes Inc.DXT13003DG-13
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 450 V, 1.3 A, 3 W, SOT-223, Surface Mount
NexperiaBCP56-10TX
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
Diodes Inc.BCP5616QTA
Single Bipolar Transistor, NPN, 80 V, 1 A, 2 W, SOT-223, 3 Pins, Surface Mount
Descriptions
Descriptions de NXP Semiconductors BFU590GX fournies par ses distributeurs.
BFU590G Series 12 V 200 mA 2 W NPN Wideband Silicon RF Transistor - SOT-223
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN
Trans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
RF Transistor, 8.5 GHz, 13 dB, Silicon, SOT223
射频晶体管, NPN, 12V, 0.2A/t/t/t/t/t/t/t/t/t/t/t/t/t/t/t/t/t/t/t/t;
Trans GP BJT NPN 12V 0.2A 4-Pin SOT223 T/R
Avnet Japan
RF TRANSISTOR, NPN, 12V, 0.2A; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 12V; Transition Frequency ft: 8.5GHz; Power Dissipation Pd: 2W; DC Collector Current: 200mA; D; Available until stocks are exhausted
Alias du fabricant
NXP Semiconductors possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. NXP Semiconductors peut également être connu sous les noms suivants :
- NXP
- PHILIPS
- PHIL
- NXP USA Inc
- PHI
- PHILLIPS
- NXP SEMI
- NXP SEMICONDUCTOR
- PHILIPS/NXP
- PHILIPS SEMICONDUCTORS
- PHILIP
- NXP/PHILIPS
- PHILIPS SEMICONDUCTOR
- PHILPS
- PHILIPS COMPONENTS
- PHILIPS SEMI
- PHL
- PHLIPS
- NXP Semicon
- NXP / Freescale
- PHILL
- PHILIPS ECG
- Philips Semiconducto
- PHILLIP
- PHILI
- Philips Semiconductors
- NXP Semiconductors NV
- NXP
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-261-4
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Terminals4
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)24 V
Collector Emitter Breakdown Voltage12 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)12 V
Continuous Collector Current80 mA
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)2 V
Frequency900 MHz
Gain8 dB
Gain Bandwidth Product8.5 GHz
hFE Min60
Max Breakdown Voltage12 V
Max Collector Current200 mA
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
PolarityNPN
Power Dissipation2 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency8.5 GHz
Dimensions
Height1.8 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité