NXP Semiconductors BFT92,215
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00
Introduction Date1992-11-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2019-10-10
LTD Date2020-10-10
Pièces détachées
onsemiNSVMMBT6520LT1G
Bipolar (BJT) Transistor PNP Surface Mount SOT-23-3 350V 500mA 200MHz 225mW
ROHMDTB123YUT106
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Toshiba2SA1298-Y,LF
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236
ROHMDTB143ECT216
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Descriptions
Descriptions de NXP Semiconductors BFT92,215 fournies par ses distributeurs.
BFT92 Series 15 V 300 mW 5 GHz PNP Wideband Transistor - SOT-23-3
Trans RF BJT PNP 15V 0.025A 300mW 3-Pin TO-236AB T/R
RF Bipolar Transistors PNP 25MA 15V 5GHZ
PNP-RF 15V 25mA 300mW 5GHz SOT23
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.025A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, PNP, TO-236AB
TRANSISTOR, PNP, 5GHZ, SOT-23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:15V; Transition Frequency ft:5GHz; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:-25mA; DC Current Gain hFE:50hFE; RF Transist
Rf Wideband Transistor, Pnp, -15V, 5Ghz, 3-Sot-23; Transistor, Polaridad:Pnp; Tensión Colector Emisor V(Br)Ceo:-15V; Frecuencia De Transición Ft:5Ghz; Disipación De Potencia Pd:300Mw; Corriente De Colector Dc:-25Ma |Nxp BFT92,215
TRANSISTOR, PNP, 5GHZ, SOT-23; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 15V; Transition Frequency ft: 5GHz; Power Dissipation Pd: 300mW; DC Collector Current: -25mA; DC Current Gain hFE: 50hFE; RF Transistor Case: SOT-23; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: -; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018); Continuous Collector Current Ic: -25mA; Continuous Collector Current Ic Max: 25mA; Current Ic hFE: 14mA; DC Current Gain Hfe Min: 20; Gain Bandwidth ft Typ: 9GHz; Hfe Min: 20; Hfe Typ: 50; Junction Temperature Tj Max: 175°C; Noise Figure Typ: 2.5dB; Pin Configuration: B(1),E(2),C(3); Termination Type: Surface Mount Device; Test Frequency: 500MHz; Transistor Case Style: SOT-23; Voltage Vcbo: 20V
Alias du fabricant
NXP Semiconductors possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. NXP Semiconductors peut également être connu sous les noms suivants :
- NXP
- PHILIPS
- PHIL
- NXP USA Inc
- PHI
- PHILLIPS
- NXP SEMI
- NXP SEMICONDUCTOR
- PHILIPS/NXP
- PHILIPS SEMICONDUCTORS
- PHILIP
- NXP/PHILIPS
- PHILIPS SEMICONDUCTOR
- PHILPS
- PHILIPS COMPONENTS
- PHILIPS SEMI
- PHL
- PHLIPS
- NXP Semicon
- NXP / Freescale
- PHILL
- PHILIPS ECG
- Philips Semiconducto
- PHILLIP
- PHILI
- Philips Semiconductors
- NXP Semiconductors NV
- NXP
Modèles CAO
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-236-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight200.998119 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)20 V
Collector Emitter Breakdown Voltage15 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)15 V
Continuous Collector Current-25 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)2 V
Frequency5 GHz
Gain18 dB
Gain Bandwidth Product5 GHz
hFE Min20
Max Breakdown Voltage15 V
Max Collector Current25 mA
Max Frequency5 GHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Output Power300 mW
PolarityPNP
Power Dissipation300 mW
Transition Frequency5 GHz
Dimensions
Height1 mm
Length3 mm
Width1.4 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité