NXP Semiconductors BFR106,215
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.75
Introduction Date1992-11-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2015-06-30
LTD Date2015-12-31
Pièces détachées
NXP SemiconductorsBFR94A,215
Tape & Reel (TR) Surface Mount NPN ROHS3Compliant RF Transistor 65 @ 15mA 10V 25mA 300mW 5GHz
ROHM2SD1757KT146Q
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
ROHM2SD1757KT146R
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
ROHM2SD1757KT146S
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Descriptions
Descriptions de NXP Semiconductors BFR106,215 fournies par ses distributeurs.
Tape & Reel (TR) Surface Mount NPN ROHS3Compliant RF Transistor 25 @ 50mA 9V 100mA 500mW 5GHz
RF Transistor, NPN, SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:15V; Transition Frequency ft:5GHz; Power Dissipation
RF TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 15V; Transition Frequency ft: 5GHz; Power Dissipation Pd: 500mW; DC Collector Current: 100mA; DC Current Gain hFE: 80hFE; RF Transistor Case: SOT-23; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: -; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018); Continuous Collector Current Ic: 100mA; Continuous Collector Current Ic Max: 100mA; Current Ic Continuous a Max: 100mA; Current Ic hFE: 50mA; Gain Bandwidth ft Typ: 5GHz; Hfe Min: 25; No. of Transistors: 1; Noise Figure Typ: 3.5dB; Operating Temperature Min: -65°C; Operating Temperature Range: -65°C to +150°C; Power Dissipation Ptot Max: 500mW; SMD Marking: BFR106; Termination Type: Surface Mount Device; Test Frequency: 800MHz; Transistor Case Style: SOT-23; Voltage Vcbo: 20V
Alias du fabricant
NXP Semiconductors possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. NXP Semiconductors peut également être connu sous les noms suivants :
- NXP
- PHILIPS
- PHIL
- NXP USA Inc
- PHI
- PHILLIPS
- NXP SEMI
- NXP SEMICONDUCTOR
- PHILIPS/NXP
- PHILIPS SEMICONDUCTORS
- PHILIP
- NXP/PHILIPS
- PHILIPS SEMICONDUCTOR
- PHILPS
- PHILIPS COMPONENTS
- PHILIPS SEMI
- PHL
- PHLIPS
- NXP Semicon
- NXP / Freescale
- PHILL
- PHILIPS ECG
- Philips Semiconducto
- PHILLIP
- PHILI
- Philips Semiconductors
- NXP Semiconductors NV
- NXP
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-236-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight200.998119 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)20 V
Collector Emitter Breakdown Voltage15 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)15 V
Continuous Collector Current100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)3 V
Frequency5 GHz
Gain11.5 dB
Gain Bandwidth Product5 GHz
hFE Min25
Max Breakdown Voltage15 V
Max Collector Current100 mA
Max Frequency5 GHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation350 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation500 mW
Transition Frequency5 GHz
Dimensions
Height1 mm
Length3 mm
Width1.4 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité