NXP Semiconductors 2PA1774R,115
Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-09-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2015-06-30
LTD Date2015-12-31
Pièces détachées
NXP Semiconductors2PA1774S,115
Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 150mA 100MHz 150mW Surface Mount SC-75
Descriptions
Descriptions de NXP Semiconductors 2PA1774R,115 fournies par ses distributeurs.
Tape & Reel (TR) Surface Mount PNP SINGLE Bipolar (BJT) Transistor 180 @ 1mA 6V 150mA 150mW 100MHz
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A Automotive 3-Pin SC-75 T/R
Bipolar Transistor, Pnp, -50V, -150Ma, 3-Sot-416
TRANSISTOR PNP 50V 0.15A SC-75; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-50V; Transition Frequency Typ ft:100MHz; Power Dissipation Pd:150mW; DC Collector Current:-150mA; DC Current Gain hFE:180; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-416; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:-200mV; Current Ic Continuous a Max:-50mA; Gain Bandwidth ft Typ:100MHz; Hfe Min:180; Package / Case:SOT-416; Power Dissipation Pd:150mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:General Purpose
Alias du fabricant
NXP Semiconductors possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. NXP Semiconductors peut également être connu sous les noms suivants :
- NXP
- PHILIPS
- PHIL
- NXP USA Inc
- PHI
- PHILLIPS
- NXP SEMI
- NXP SEMICONDUCTOR
- PHILIPS/NXP
- PHILIPS SEMICONDUCTORS
- PHILIP
- NXP/PHILIPS
- PHILIPS SEMICONDUCTOR
- PHILPS
- PHILIPS COMPONENTS
- PHILIPS SEMI
- PHL
- PHLIPS
- NXP Semicon
- NXP / Freescale
- PHILL
- PHILIPS ECG
- Philips Semiconducto
- PHILLIP
- PHILI
- Philips Semiconductors
- NXP Semiconductors NV
- NXP
Modèles CAO
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight113.398093 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current-150 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min180
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current150 mA
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
PolarityPNP
Power Dissipation150 mW
TerminationSMD/SMT
Transition Frequency100 MHz
Dimensions
Height6.35 mm
Length6.35 mm
Width6.35 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité