NTE Electronics NTE221
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Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1992-06-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
Descriptions
Descriptions de NTE Electronics NTE221 fournies par ses distributeurs.
Mosfet N-channel Dual Gate 20V Idss=18ma TO-72 Case Vhf AMP/mixer Applications
NTE Electronics
MOSFET, N-CH, ID 18MA, TO-3,VGS +1 TO -8 V (GATE-1), -8 V (GATE-2),-65DEGC,+175DEGC
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-72
Dual Gate Rf Mosfet, N Channel 20V, To72; Drain Source Voltage Vds:20V; Continuous Drain Current Id:18Ma; Power Dissipation:400Mw; Operating Frequency Min:-; Operating Frequency Max:-; No. Of Pins:3Pins; Channel Type:N Channel; Msl:-Rohs Compliant: Yes |Nte Electronics NTE221
Alias du fabricant
NTE Electronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. NTE Electronics peut également être connu sous les noms suivants :
- NTE
- NTE Electronics Inc
- NTE ELECT
- NTE Electronics Incorporated
- NTE ELECTRONICS ACCT
- NTE Electronic Inc
- NTE/EDGE
- NTE/PHILIPS ECG
- NTE 88'S
- PROSPERITY ELECTRONICS CO LTD
- NTE/PEC
- NTE Electronics Inc (use ECG / NTE Electronics)
- NTE-F
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Spécifications techniques
Physical
Body MaterialMetal
Case/PackageTO-72
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals4
Weight7.257478 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 mA
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.5 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation400 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Power Dissipation400 mW
Dimensions
Height4.82 mm
Length152.4 mm
Width76.2 mm
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