NTE Electronics NTE2104

Integrated Circuit 4K Dynamic Ram(dram) 200NS 16-LAD DIP
Obsolete
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DistributorSKUMinPkg
Component Stockers USANTE21041 419
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North Star MicroNS-NTE2104Contact
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Fiches techniques et documents

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IHS

Datasheet3 pagesIl y a 19 ans

Newark

Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8542.32.00.71
Introduction Date1996-03-14
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)

Descriptions

Descriptions de NTE Electronics NTE2104 fournies par ses distributeurs.

INTEGRATED CIRCUIT 4K DYNAMIC RAM(DRAM) 200NS 16-LAD DIP
NTE Electronics
replacement Memory 4K X 1 SRAM 200NS
Mouser
DRAM Memory IC; Memory Type:NMOS DRAM; Memory Size:4KB; Memory Organization:4K x 1; Memory Voltage, Vcc:5V; Supply Voltage Min:4.5V; Supply Voltage Max:5.5V; Termination Type:Through Hole; Package/Case:16-DIP; No. of Pins:16
Newark

Alias du fabricant

NTE Electronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. NTE Electronics peut également être connu sous les noms suivants :

  • NTE
  • NTE Electronics Inc
  • NTE ELECT
  • NTE Electronics Incorporated
  • NTE ELECTRONICS ACCT
  • NTE Electronic Inc
  • NTE/EDGE
  • NTE/PHILIPS ECG
  • NTE 88'S
  • PROSPERITY ELECTRONICS CO LTD
  • NTE/PEC
  • NTE Electronics Inc (use ECG / NTE Electronics)
  • NTE-F