Nexperia PSMN1R6-30BL,118
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-03-22
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 years ago)
LTB Date2022-06-30
LTD Date2022-12-31
Manufacturer Lifecycle StatusDISCONTINUATION OF DELIVERY (Last Updated: 2 years ago)
Pièces détachées
NXP SemiconductorsBUK6E2R0-30C,127
N CH MOSFET, TRENCH AUTO, 30V, 120A, 3TO220AB; Transistor Polarity:N Channel; Co
NXP SemiconductorsBUK761R4-30E,118
Trans MOSFET N-CH 30V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
NXP SemiconductorsBUK761R8-30C,118
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Diodes Inc.DMP3098L-7
MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23-3 / Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
Descriptions
Descriptions de Nexperia PSMN1R6-30BL,118 fournies par ses distributeurs.
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
N-channel 30 V 1.9 mΩ logic level MOSFET in D2PAK
PSMN Series 30 V 1.9 mOhm 306 W Surface Mount N-Channel Mosfet - D2PAK
Mosfet, N Channel, 30V, 100A, D2Pak; Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:100A; On Resistance Rds(On):0.00158Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V Rohs Compliant: Yes
Alias du fabricant
Nexperia possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Nexperia peut également être connu sous les noms suivants :
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance2.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time87 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance12.493 nF
Max Dual Supply Voltage30 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation306 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation306 W
Rds On Max1.9 mΩ
Rise Time163 ns
Turn-Off Delay Time174 ns
Turn-On Delay Time104 ns
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Conformité
Classification environnementale
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité