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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-07-15
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)
Descriptions
Descriptions de Nexperia PSMN1R0-40YLD fournies par ses distributeurs.
MOSFET, N CH, 40V, 100A, SOT-669-4
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.0014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Power Field-Effect Transistor
Alias du fabricant
Nexperia possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Nexperia peut également être connu sous les noms suivants :
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-669
Contact PlatingTin
Number of Pins4
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 A
Drain to Source Resistance1.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation198 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Resistance930 µΩ
Threshold Voltage1.7 V