Nexperia PSMN013-100PS,127
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-09-17
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 years ago)
LTB Date2024-06-30
LTD Date2024-12-31
Manufacturer Lifecycle StatusDISCONTINUATION OF DELIVERY (Last Updated: 2 years ago)
Pièces détachées
NXP SemiconductorsBUK7619-100B,118
Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
NXP SemiconductorsBUK7Y54-75B,115
Trans MOSFET N-CH 75V 21.4A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Descriptions
Descriptions de Nexperia PSMN013-100PS,127 fournies par ses distributeurs.
PSMN013 Series 100 V 25 mOhm 170 W N-Channel Standard Level MOSFET - TO-220-3
Power Field-Effect Transistor, 67A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
N-channel 100V 13.9mΩ standard level MOSFET in TO220.
Trans MOSFET N-CH 100V 68A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
MOSFET, N CH, 100V, 68A, 3-TO-220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:68A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):10.8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V ;RoHS Compliant: Yes
Alias du fabricant
Nexperia possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Nexperia peut également être connu sous les noms suivants :
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)67 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance13.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time24 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.195 nF
Max Dual Supply Voltage100 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation170 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation170 W
Rds On Max13.9 mΩ
Rise Time25 ns
Turn-Off Delay Time52.5 ns
Turn-On Delay Time20.7 ns
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité