Nexperia PMGD280UN,115

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 0.87A 6-Pin SC-88 T/R
$ 0.115
Production
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Fiches techniques et documents

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Datasheet13 pagesIl y a 28 ans

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-02-10
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)

Pièces détachées

NXP SemiconductorsSI2302DS,215
Transistor MOSFET N-CH 20V 2.5A 3-Pin TO-236AB T/R
NXP SemiconductorsPMV28UN,215
Trans MOSFET N-CH 20V 3.3A 3-Pin TO-236AB T/R
NXP SemiconductorsPMN25UN,115
Trans MOSFET N-CH 20V 6A 6-Pin TSOP T/R
NXP SemiconductorsPMF63UN,115
Trans MOSFET N-CH 20V 1.8A 3-Pin SC-70 T/R
NXP SemiconductorsPMV30XN,215
Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin TO-236AB T/R
NXP SemiconductorsPMDPB38UNE,115
Tape & Reel (TR) Surface Mount 2N-Channel (Dual) 6 Mosfet Array 4A 510mW 20V -55C~150C TJ

Descriptions

Descriptions de Nexperia PMGD280UN,115 fournies par ses distributeurs.

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 0.87A 6-Pin SC-88 T/R
Dual N-Channel 20 V 660 mOhm 0.89 nC 0.4 W Surface Mount MOSFET - SOT-363
Trans MOSFET N-CH 20V 0.87A 6-Pin SOT-363 T/R
870 mA 20 V 2 CHANNEL N-CHANNEL Si SMALL SIGNAL MOSFET
MOSFET, N-KANAL, TRENCH DL, 20V, SOT363
Pmgd280Un/Sot363/Sc-88 Rohs Compliant: Yes |Nexperia PMGD280UN,115.
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.87A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Dual N-channel TrenchMOS ultra low level FET
Nexperia NMOS, Vds=20 V, 870 mA, SOT-363, , 6
MOSFET, N CH, TRENCH DL, 20V, SOT363; Module Configuration:Dual; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:200mA; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):340mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:700mV; Power Dissipation Pd:400mW; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-363; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:870mA; Package / Case:SOT-363; Power Dissipation Pd:400mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:Enhancement; Voltage Vds Typ:20V; Voltage Vgs Max:8V; Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V

Alias du fabricant

Nexperia possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Nexperia peut également être connu sous les noms suivants :

  • Nexperia USA Inc
  • NEXPER
  • Nexperia BV
  • NXP/NEXPERIA
  • Nexperia USA
  • NEXP
  • Nexperi
  • NEXPERIA / NXP
  • Nexperia Inc
  • Nexperia/NXP Semiconductors
  • NEXPERIA(Nexperia)
  • NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
  • Nexperia(Ahn Se)
  • Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
  • NEXPERIA/N
  • NEXPERIA/PHILIPS
  • NEXPERIA USA INC (UA)
  • NEX-NXP
  • NEXPERIA USA INC (VA)
  • NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • PMGD280UN 115
  • PMGD280UN,115.
  • PMGD280UN-115
  • PMGD280UN115