Nexperia PBSS5440D,115

Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 6 Pin
$ 0.331
Production
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DistributorSKUMinPkg
NewarkPBSS5440D,1153 0921Cut Tape
DigiKey
2
1727-5775-1-ND6701Cut Tape
AvnetPBSS5440D,11506K
15h
Farnell
2
PBSS5440D,1153 0921Cut Tape
12h
element14 APAC
2
PBSS5440D,1153 0921Cut Tape
2h

Fiches techniques et documents

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IHS

Datasheet13 pagesIl y a 16 ans

Nexperia

Newark

Future Electronics

Farnell

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-04-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)

Pièces détachées

onsemiMMBT6589T1G
Tape & Reel (TR) Surface Mount PNP Single Bipolar (BJT) Transistor 100 @ 500mA 2V 1A 540mW 100MHz
Détails
onsemiMBT35200MT2G
Tape & Reel (TR) Surface Mount PNP Single Bipolar (BJT) Transistor 100 @ 1.5A 1.5V 2A 1W 100MHz
Détails
NXP SemiconductorsPMD9050D,115
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 3-Element, NPN and PNP, Silicon
Détails
NXP SemiconductorsPMD9010D,115
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
Détails
NXP SemiconductorsPMD9003D,115
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
Détails
NXP SemiconductorsPMD9002D,115
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 6-Pin TSOP T/R
Détails

Descriptions

Descriptions de Nexperia PBSS5440D,115 fournies par ses distributeurs.

Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 6 Pin
IHS
40 V, 4 A PNP low VCEsat transistor
Nexperia
Trans GP BJT PNP 40V 4A Automotive 6-Pin TSOP T/R
Verical
40V 1.1W 4A 30@6A2V 110MHz 320mV@6A600mA PNP +150¡Í@(Tj) SOT-457 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Dasenic
450mV@ 600mA,6A PNP 2.5W 5V 100nA 40V 40V 4A TSOP-6 3.1mm*1.7mm*1mm
UnikeyIC
TRANS PNP 40V 4A LOW SAT SOT457; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-40V; Transition Frequency Typ ft:110MHz; Power Dissipation Pd:1.1W; DC Collector Current:-4A; DC Current Gain hFE:200; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-457; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:-60mV; Current Ic Continuous a Max:-500mA; Gain Bandwidth ft Typ:110MHz; Hfe Min:200; Package / Case:SOT-457; Power Dissipation Pd:1.1W; Termination Type:SMD; Transistor Type:Low Saturation (BISS)
element14 APAC

Images

Nexperia
element14 APAC
Newark
Future Electronics
Rochester Electronics

Alias du fabricant

Nexperia possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Nexperia peut également être connu sous les noms suivants :

  • Nexperia USA Inc
  • NEXPER
  • Nexperia BV
  • NXP/NEXPERIA
  • Nexperia USA
  • NEXP
  • Nexperi
  • NEXPERIA / NXP
  • Nexperia Inc
  • Nexperia/NXP Semiconductors
  • NEXPERIA(Nexperia)
  • NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
  • Nexperia(Ahn Se)
  • Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
  • NEXPERIA/N
  • NEXPERIA/PHILIPS
  • NEXPERIA USA INC (UA)
  • NEX-NXP
  • NEXPERIA USA INC (VA)
  • NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • PBSS5440D 115
  • PBSS5440D115