Nexperia PBSS302NX,115

PBSS302NX Series 20 V 5.3 A 1.65 W SMT NPN Low VCEsat (BISS) Transistor - SOT-89
$ 0.424
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Verical
6
PBSS302NX,1154 000653
Rochester Electronics
2
PBSS302NX,11520 940
9h
TME
2
PBSS302NX.11501
6h
AvnetPBSS302NX,11504K
2d
Component Stockers USAPBSS302NX,11517 399
6d

Fiches techniques et documents

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Nexperia

Datasheet16 pagesIl y a 16 ans

IHS

Farnell

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.75
Introduction Date2006-08-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)

Pièces détachées

Diodes Inc.ZXTN2005ZTA
Trans GP BJT NPN 25V 5.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Détails
ROHM2SD2098T100R
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Détails
Diodes Inc.ZXTN19020DZTA
ZXTN19020DZ Series NPN 20 V 7.5 A High Gain Power Transistor SMT - SOT-89-3
Détails
Diodes Inc.BCX6825TA
20V 1W 160@500mA,1V 1A NPN SOT-89-3 Bipolar (BJT) ROHS
Détails
onsemiKSD1621RTF
Tape & Reel (TR) Surface Mount NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 100 @ 100mA 2V 100nA ICBO 500mW 150MHz
Détails
onsemiKSD1621TTF
Tape & Reel (TR) Surface Mount NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 200 @ 100mA 2V 100nA ICBO 500mW 150MHz
Détails

Descriptions

Descriptions de Nexperia PBSS302NX,115 fournies par ses distributeurs.

PBSS302NX Series 20 V 5.3 A 1.65 W SMT NPN Low VCEsat (BISS) Transistor - SOT-89
Future Electronics
Trans GP BJT NPN 20V 5.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Verical
Power Bipolar Transistor, 5.3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
IHS
Bipolar Transistors - BJT NPN 20V 5.3A
Digi-ic_SMART PIONEER
Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:20V; Transition Frequency Typ, ft:140MHz; Power Dissipation, Pd:2.1W; DC Collector Current:5.3A; DC Current Gain Max (hfe):570 ;RoHS Compliant: Yes
Newark
TRANS NPN 20V 5.3A SOT-89; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:20V; Power Dissipation Pd:600mW; DC Collector Current:5.3A; DC Current Gain hFE:570; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-89; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:25mV; Current Ic Continuous a Max:500mA; Gain Bandwidth ft Typ:140MHz; Hfe Min:300; Package / Case:SOT-89; Power Dissipation Pd:600mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:Low Saturation (BISS)
element14 APAC

Images

Nexperia
Conrad
Newark
Future Electronics
TME
Rochester Electronics

Alias du fabricant

Nexperia possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Nexperia peut également être connu sous les noms suivants :

  • Nexperia USA Inc
  • NEXPER
  • Nexperia BV
  • NXP/NEXPERIA
  • Nexperia USA
  • NEXP
  • Nexperi
  • NEXPERIA / NXP
  • Nexperia Inc
  • Nexperia/NXP Semiconductors
  • NEXPERIA(Nexperia)
  • NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
  • Nexperia(Ahn Se)
  • Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
  • NEXPERIA/N
  • NEXPERIA/PHILIPS
  • NEXPERIA USA INC (UA)
  • NEX-NXP
  • NEXPERIA USA INC (VA)
  • NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • PBSS302NX 115
  • PBSS302NX115