Nexperia PBHV8215Z,115

Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
$ 0.427
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
TME
2
PBHV8215Z.11501
10h
Newark
2
PBHV8215Z,11501Cut Tape
AvnetPBHV8215Z,11505K
3d
Farnell
3
PBHV8215Z,11501Cut Tape
11h
element14 APAC
3
PBHV8215Z,11501Cut Tape
1h

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Nexperia PBHV8215Z,115.

IHS

Datasheet12 pagesIl y a 16 ans

Future Electronics

Farnell

TME

Modèles CAO

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-11-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)

Pièces détachées

onsemiBCP55
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
Détails
onsemiBCP54
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
Détails
onsemiNZT6714
TRANSISTOR,BJT,NPN,30V V(BR)CEO,2A I(C),SOT-223
Détails
Diodes Inc.FZT600BTA
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
Détails
Diodes Inc.FZT605TA
FZT605 Series 120 V 1.5 A NPN SMT Darlington Medium Power Transistor - SOT-223
Détails
Diodes Inc.FZT603TA
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
Détails

Descriptions

Descriptions de Nexperia PBHV8215Z,115 fournies par ses distributeurs.

Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
IHS
PBHV8215Z Series 150 V 2 A 0.73 W NPN High Voltage (BISS) Transistor - SOT-223
Future Electronics
Trans GP BJT NPN 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Avnet
General Purpose Transistors NPN Ic=2A Vceo=150V hfe=55 P=1.45W SOT223
HQonline
150 V, 2 A NPN high-voltage low VCEsat transistor
Nexperia
150V 730mW 2A 55@2A10V 33MHz 170mV@2A400mA NPN +150¡Í@(Tj) SOT-223 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Dasenic
BISS TRANSISTOR, HIGH VOLT, NPN, 150V, 2A, 4SOT223; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:150V; Transition Frequency ft:33MHz; Power Dissipation Pd:730mW; DC Collector Current:2A; DC Current Gain hFE:240 ;RoHS Compliant: Yes
Newark

Images

Nexperia
element14 APAC
Farnell
element14 APAC
TME
Future Electronics
element14
Rochester Electronics

Alias du fabricant

Nexperia possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Nexperia peut également être connu sous les noms suivants :

  • Nexperia USA Inc
  • NEXPER
  • Nexperia BV
  • NXP/NEXPERIA
  • Nexperia USA
  • NEXP
  • Nexperi
  • NEXPERIA / NXP
  • Nexperia Inc
  • Nexperia/NXP Semiconductors
  • NEXPERIA(Nexperia)
  • NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
  • Nexperia(Ahn Se)
  • Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
  • NEXPERIA/N
  • NEXPERIA/PHILIPS
  • NEXPERIA USA INC (UA)
  • NEX-NXP
  • NEXPERIA USA INC (VA)
  • NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • "PBHV8215Z,115"
  • PBHV8215Z 115
  • PBHV8215Z115