Nexperia PBHV8115Z,115

Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
$ 0.544
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
TME
2
PBHV8115Z.11501
17h
Newark
2
PBHV8115Z,11501Cut Tape
Future ElectronicsPBHV8115Z,11501KTape & Reel
AvnetPBHV8115Z,11505K
2d
element14 APAC
3
PBHV8115Z,11501Cut Tape
7h

Fiches techniques et documents

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Future Electronics

Datasheet13 pagesIl y a 17 ans

IHS

Farnell

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-02-06
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)

Pièces détachées

ROHM2SC5053T100Q
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Détails
ROHM2SD2656T106
Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 1 A 400MHz 200 mW Surface Mount UMT3
Détails
ROHMDTC114TUAT106
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Détails
onsemiFFB2222A
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
Détails
onsemiFFB5551
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 160V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
Détails
onsemiCPH3249-TL-E
TRANS NPN 350V 1A CPH3
Détails

Descriptions

Descriptions de Nexperia PBHV8115Z,115 fournies par ses distributeurs.

Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
IHS
150 V, 1 A NPN high-voltage low VCEsat transistor
Nexperia
Trans GP BJT NPN 150V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Avnet Japan
General Purpose Transistors NPN Ic=1A Vceo=150V hfe=10 P=1.4W SOT223
HQonline
TRANSISTOR,NPN,1A,150V,SOT223, REEL
Newark
150V 700mW 1A 50@500mA10V 30MHz 400mV@100mA10mA NPN +150¡Í@(Tj) SOT-223 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Dasenic
350mV@ 200mA,1A NPN 1.4W 6V 100nA 400V 150V 1A SOT-223 1.7mm
UnikeyIC
NEXPERIA - PBHV8115Z,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 30 MHz, 700 mW, 1 A, 250 hFE
Jak Electronics
TRANSISTOR,NPN,1A,150V,SOT223; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 150V; Transition Frequency ft: 30MHz; Power Dissipation Pd: 700mW; DC Collector Current: 1A; DC Current Gain hFE: 250hFE; Transistor
Farnell

Images

Nexperia
element14 APAC
element14 APAC
Newark
Future Electronics
TME
Conrad
Rochester Electronics

Alias du fabricant

Nexperia possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Nexperia peut également être connu sous les noms suivants :

  • Nexperia USA Inc
  • NEXPER
  • Nexperia BV
  • NXP/NEXPERIA
  • Nexperia USA
  • NEXP
  • Nexperi
  • NEXPERIA / NXP
  • Nexperia Inc
  • Nexperia/NXP Semiconductors
  • NEXPERIA(Nexperia)
  • NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
  • Nexperia(Ahn Se)
  • Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
  • NEXPERIA/N
  • NEXPERIA/PHILIPS
  • NEXPERIA USA INC (UA)
  • NEX-NXP
  • NEXPERIA USA INC (VA)
  • NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • "PBHV8115Z,115"
  • PBHV8115Z 115
  • PBHV8115Z115