Nexperia NX3008NBK,215
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-08-02
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
Pièces détachées
NXP SemiconductorsPMDPB95XNE,115
Transistor MOSFET Array Dual N-Channel 30V 3.1A 6-Pin DFN2020
Descriptions
Descriptions de Nexperia NX3008NBK,215 fournies par ses distributeurs.
In a Pack of 150, N-Channel MOSFET, 400 mA, 30 V, 3-Pin SOT-23 Nexperia NX3008NBK, 215
N-Channel 30 V 1.4 Ohm 0.52 nC Surface Mount Trench Mosfet - SOT-23
Power Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
30V 400mA 1.14W 1.4´Î@4.5V350mA 1.1V@250Ã×A N Channel SOT-23(SOT-23-3) MOSFETs ROHS
Trans MOSFET N-CH 30V 0.4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:400Ma; On Resistance Rds(On):1Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:900Mv Rohs Compliant: Yes
Alias du fabricant
Nexperia possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Nexperia peut également être connu sous les noms suivants :
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Ambient Temperature Range High150 °C
Continuous Drain Current (ID)400 mA
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance1.4 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time19 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance50 pF
Max Dual Supply Voltage30 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation420 mW
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-50 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation350 mW
Rds On Max1.4 Ω
Rise Time11 ns
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time69 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height1.1 mm
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Conformité
Classification environnementale
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité