Nexperia BSS84AKM,315
$ 0.154
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | BSS84AKM,315 | 0 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | BSS84AKM,315 | 0 | 20K | 3h | ||||||||
| Win Source | WS-BSS84AKM,315 | 92 120 | 610 | 1h | ||||||||
| Classic Components | BSS84AKM,315 | 81 600 | 19h | |||||||||
| UnikeyIC | BSS84AKM,315 | 90 000 | 10K | Tape & Reel | 7h |
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 EE Concierge | SymboleEmpreinte | ||
 SnapEDA | Empreinte | Télécharger |
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Chaîne d'approvisionnement
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
Descriptions
Descriptions de Nexperia BSS84AKM,315 fournies par ses distributeurs.
P-channel MOSFET, -50V, -130mA, SOT-23, used for low-power switching and load management applications
MOSFET Devices; NEXPERIA; BSS84AKM, 315; -50 V; -230 mA; 20 V; 340 mW
Trans MOSFET P-CH 50V 0.23A Automotive 3-Pin DFN T/R
BSS84AKM Series 50 V 7.5 Ohm 0.26 nC P-Channel TrenchMOS FET - SOT-883
BSS84AKM - 50 V, 230 mA P-channel Trench MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 50V, 8.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, P-CH, 50V, 0.23A, SOT-883;
MOSFET P-CH 50V 230MA DFN1006-3
NOW NEXPERIA BSS84AKM - SMALL SI
P CH MOSFET, TRENCH, -50V, -230MA, SOT-883; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-0.23A; Drain Source Voltage Vds:-50V; On Resistance Rds(on):4.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V ;RoHS Compliant: Yes
Alias du fabricant
Nexperia possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Nexperia peut également être connu sous les noms suivants :
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Ambient Temperature Range High150 °C
Continuous Drain Current (ID)230 mA
Drain to Source Breakdown Voltage-50 V
Drain to Source Resistance8.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)-50 V
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance36 pF
Max Dual Supply Voltage-50 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.7 W
Min Breakdown Voltage50 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation340 mW
Rds On Max7.5 Ω
Rise Time11 ns
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time48 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Dimensions
Height500 µm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité