Nexperia BCW60B,215
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-09-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
Pièces détachées
Diodes Inc.BC848C-7-F
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Surface Mount
Diodes Inc.BC848B-7-F
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Diodes Inc.BC848A-7-F
BC848A Series 30 V 100 mA NPN Surface Mount Small Signal Transistor - SOT23
Descriptions
Descriptions de Nexperia BCW60B,215 fournies par ses distributeurs.
BCW60 Series 32 V 100 mA Surface Mount NPN General Purpose Transistor - SOT-23
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
TRANSISTOR NPN 32V 100MA SOT23
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
20nA 32V 250mW 100mA 180@2mA5V 100MHz 100mV@50mA1.25mA NPN +150¡Í@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:32V; Transition Frequency Typ, ft:250MHz; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain Max (hfe):180 ;RoHS Compliant: Yes
Alias du fabricant
Nexperia possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Nexperia peut également être connu sous les noms suivants :
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)32 V
Collector Emitter Breakdown Voltage32 V
Collector Emitter Saturation Voltage550 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)32 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Forward Current100 mA
Forward Voltage550 mV
Frequency250 MHz
Gain Bandwidth Product250 MHz
hFE Min70
Max Breakdown Voltage32 V
Max Collector Current200 mA
Max Forward Surge Current (Ifsm)1 A
Max Frequency250 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm)40 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation250 mW
Schedule B8541210080
TerminationSMD/SMT
Transition Frequency250 MHz
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité