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Nexperia BC856B

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
Production
Fiche technique
Page du fabricant

Prix et stock

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Distributeur
SKU
Minimum
Emballage
Prix de gros
Weyland Electronics Group Pte. Ltd.
BC856B
15 000
1
Tape & Reel
USD
0,150
0,150
0,150
0,150
0,150
15h
Win Source
WS-BC856B
150 000
700
USD
0,072
0,056
16h
Aztech
BC856B
7 049
USD
0,030
0,030
0,030
0,030
0,030
11h
RC Electronics
2
BC856B
126 170
1
USD
0,044
0,040
0,040
0,040
0,030
19h
Anlinkda
2
BC856-B
99 977
USD
0,015
0,013
0,012
0,009
0,008
23h

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Nexperia BC856B.

IHS

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1993-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 week ago)
LTB Date2004-06-30

Pièces détachées

NexperiaBC857B
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Détails
NexperiaPDTA143ET
Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, PNP, Silicon
Détails
onsemiFJV4101RMTF
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Détails
onsemiBC856BMTF
BC856 Series 65 V CE Breakdown .1 A PNP Epitaxial Silicon Transistor - SOT-23
Détails
onsemiBC857BMTF
BC857 Series 45 V CE Breakdown .1 A PNP Epitaxial Silicon Transistor - SOT-23
Détails
NexperiaBC807
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
Détails

Descriptions

Descriptions de Nexperia BC856B fournies par ses distributeurs.

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
Abacus Technologies
65V 200mW 220@2mA,5V 100mA PNP SOT-23-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Dasenic
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A Automotive 3-Pin TO-236AB
Component Sense
TRANSISTOR, PNP SOT-23; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 65V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 250mW; DC Collector Current: -100mA; DC Current Gain hFE: 220hFE; Transistor Case Sty
Farnell
Transistor; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:65V; Continuous Collector Current, Ic:100mA; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):0.25V; Power Dissipation, Pd:0.25mW ;RoHS Compliant: Yes
Newark
Transistor Polarity = PNP / Configuration = Single / Continuous Collector Current (Ic) mA = -100 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = -65 / DC Current Gain (hFE) = 220 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = -80 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = -5 / Operating Temperature Min. °C = -65 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Transit Frequency MHz = 100 / Power Dissipation (Pd) mW = 250 / Package Type = SOT-23 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Automotive Qualification Standard = AEC-Q101 / Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)) mV = -300 / Base Emitter Saturation Voltage Max. (Vbe(sat)) mV = -700 / Reflow Temperature Max. °C = 260
Distrelec

Images

element14
Distrelec
Farnell
SOS electronic

Alias du fabricant

Nexperia possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Nexperia peut également être connu sous les noms suivants :

  • Nexperia USA Inc
  • NEXPER
  • Nexperia BV
  • NXP NEXPERIA
  • Nexperia USA
  • NEXP
  • Nexperi
  • NEXPERIA / NXP
  • Nexperia Inc
  • Nexperia/NXP Semiconductors
  • NEXPERIA(Nexperia)
  • NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
  • Nexperia(Ahn Se)
  • Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
  • NEXPERIA/N
  • NEXPERIA/PHILIPS
  • NEXPERIA USA INC (UA)
  • NEX-NXP
  • NEXPERIA USA INC (VA)
  • Infineon_Nexperia
  • NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • BC 856 B
  • BC 856B
  • BC-856-B
  • BC-856B
  • BC856 B
  • BC856-B
  • BC856B.