Renesas CM600DY-12NF

Insulated Gate Bipolar Transistor, 600A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
Obsolete
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Newark

iiiC

Chaîne d'approvisionnement

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

Descriptions

Descriptions de Renesas CM600DY-12NF fournies par ses distributeurs.

Insulated Gate Bipolar Transistor, 600A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
High Power Switching Igbt Module
POWER IGBT TRANSISTOR
standard package
Igbt Module, 600V, 600A; Continuous Collector Current:600A; Collector Emitter Saturation Voltage:2.2V; Power Dissipation:1.13Kw; Operating Temperature Max:150°C; Igbt Termination:Tab; Collector Emitter Voltage Max:600V Rohs Compliant: Yes |Mitsubishi Electric CM600DY-12NF

Alias du fabricant

Renesas possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Renesas peut également être connu sous les noms suivants :

  • Renesas Electronics
  • Renesas Electronics America Inc
  • Renesas Electronics America
  • RENESA
  • REN
  • RENES
  • RENESAS TECHNOLOGY CORP
  • RENESAS TECHNOLOGY
  • Renesas Electronics Corporation
  • RENESAS ELECTRONICS CORP
  • RENSAS
  • RENASAS
  • Renesas / Intersil
  • RNS
  • RENESAS-PB
  • RENESASTEC
  • RENESES
  • Renesas Technology America
  • Renesas Design Germany GmbH
  • Renesas / IDT
  • RENESASE
  • RENESAS TECHNOLOGY HONG KONG
  • Renesas Electronics Operations Services Limited
  • RENEASAS
  • RENESAS/M

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • CM600 DY-12NF
  • CM600DY 12NF
  • CM600DY12NF