Microchip DN3145N8-G
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Chaîne d'approvisionnement
Projected EOL Date2034-06-16
Country of AssemblyChina, Philippines, Taiwan
Country of FabricationUnited States of America
Country of OriginChina, Philippines, Taiwan
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.0095
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 day ago)
Manufacturer Lifecycle StatusREL (Last Updated: 1 day ago)
Pièces détachées
Diodes Inc.ZXMN10A07ZTA
ZXMN10A07Z Series 100 V 0.7 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-89
Diodes Inc.ZXMN6A11ZTA
ZXMN6A11Z Series 60 V 0.12 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-89
onsemiPCP1405-TD-H
MOSFET N-CH 250V 0.6A SOT89 / Trans MOSFET N-CH 250V 0.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Descriptions
Descriptions de Microchip DN3145N8-G fournies par ses distributeurs.
1.3W(Ta) 20V 1N 450V 60¦¸@ 100mA,0V 100mA 120pF@25V SOT-89,TO-243AA 4.6mm*2.6mm*1.6mm
Trans MOSFET N-CH 450V 0.1A 4-Pin (3+Tab) SOT-89
DN3145 Series 450 V 100 mA 60 Ohm N-Channel Depletion Mode MOSFET - SOT-89
Mosfet, N Channel, 450V, 0.1A, To-243Aa-3; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:450V; Continuous Drain Current Id:100Ma; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:0V; Gate Source Threshold Voltage Max:- Rohs Compliant: Yes |Microchip Technology DN3145N8-G
Alias du fabricant
Microchip possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Microchip peut également être connu sous les noms suivants :
- Microchip Technology
- MICROCHIP TECHNOLOGY INC
- MICROCHI
- MICROC
- MICROCH
- MICROCHIP TECH
- MCHP
- MCRCH
- MCP
- MICROHIP
- MICROSHIP
- MICCHP
- MICROCHP
- MTech
- Microchip Technology / Atmel
- Microchip Technologies
- Microchip / Microsemi
- MICORCHIP
- MICHROCHIP
- MICROCIHIP
- Atmel/Microchip
- MICRIOCHIP
- Atmel (Microchip Technology)
- MICROCHIP (ATMEL)
- MICROCHIP TECHNOLOGY (VA)
- Microchip Technology Inc.
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-89
MountSurface Mount
Number of Pins3
Weight52.786812 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 mA
Drain to Source Breakdown Voltage450 V
Drain to Source Resistance60 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)450 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
HS Code8541.29.0055, 8541.29.0095
Input Capacitance120 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.3 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation1.3 W
Rds On Max60 Ω
Rise Time15 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height1.6 mm
Length4.6 mm
Width2.6 mm
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Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité