Microchip APT8030LVFRG
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Chaîne d'approvisionnement
Projected EOL Date2044-04-30
Country of AssemblyPhilippines
Country of FabricationJapan
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.0095
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusREL (Last Updated: 2 days ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTWA45N65M5
N-channel 650 V, 0.067 Ohm typ., 35 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 long leads package
onsemiFCH110N65F-F155
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, FRFET®, 650 V, 35 A, 110 mΩ, TO-247
STMicroelectronicsSTW36NM60ND
Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
STMicroelectronicsSTW40N60M2
N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
Descriptions
Descriptions de Microchip APT8030LVFRG fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET N-CH 800V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-264
520W 30V 4V@2.5mA 510nC@ 10 V 1N 800V 300m¦¸@ 500mA,10V 27A 7.9nF@25V TO-264
Fredfet Mos5 800 V 30 Ohm To-264 3 To-264 Tube Rohs Compliant: Yes |Microchip Technology APT8030LVFRG
FREDFET MOS 5 800 V 300 mOhm TO-264
Alias du fabricant
Microchip possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Microchip peut également être connu sous les noms suivants :
- Microchip Technology
- MICROCHIP TECHNOLOGY INC
- MICROCHI
- MICROC
- MICROCH
- MICROCHIP TECH
- MCHP
- MCRCH
- MCP
- MICROHIP
- MICROSHIP
- MICCHP
- MICROCHP
- MTech
- Microchip Technology / Atmel
- MICROCIHIP
- Microchip Technologies
- Microchip / Microsemi
- MICORCHIP
- MICHROCHIP
- Atmel/Microchip
- MICRIOCHIP
- Atmel (Microchip Technology)
- MICROCHIP (ATMEL)
- MICROCHIP TECHNOLOGY (VA)
- Microchip Technology Inc.
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-264
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)27 A
Current Rating27 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance300 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
HS Code8541.29.0055, 8541.29.0095
Input Capacitance10.5 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation625 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation520 W
Rds On Max85 mΩ
Rise Time14 ns
Turn-Off Delay Time59 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Voltage Rating (DC)800 V
Dimensions
Height29.18 mm
Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité