Microchip 2N6661
$ 14.038
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Chaîne d'approvisionnement
Projected EOL Date2034-01-12
Country of AssemblyThailand
Country of FabricationUnited States of America
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8542.39.0060
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 day ago)
Manufacturer Lifecycle StatusREL (Last Updated: 1 day ago)
Pièces détachées
VishayIRFD110PBF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 1 A, 540 MilliOhms, HVMDIP, 4 Pins, Through Hole
InfineonIRFB59N10DPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.025Ohm;ID 59A;TO-220AB;PD 200W;VGS +/-30V
Descriptions
Descriptions de Microchip 2N6661 fournies par ses distributeurs.
TRANSISTOR MOSFET N-CHANNEL 90V TO-49, 2N666 SERIES
MOSFET, N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE, 90V, 4 Ohm
2N6661 Series 90 V 350mA N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET- TO-39
Trans MOSFET N-CH 90V 0.35A 3-Pin TO-39
900 mA 90 V N-CHANNEL Si SMALL SIGNAL MOSFET TO-39
Microchip NMOS 2N6661, Vds=90 V, 350 mA, TO-39, , 3
Enhancement-Mode N-Channel, 4Ω, 2V, TO-39-3, RoHS
Microchip SCT
MOSFET, N-CH, 90V, 0.9A, TO-205AF; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 900mA; Drain Source Voltage Vds: 90V; On Resistance Rds(on): 3ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1.5V; Pow
Alias du fabricant
Microchip possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Microchip peut également être connu sous les noms suivants :
- Microchip Technology
- MICROCHIP TECHNOLOGY INC
- MICROCHI
- MICROC
- MICROCH
- MICROCHIP TECH
- MCHP
- MCRCH
- MCP
- MICROHIP
- MICROSHIP
- MICCHP
- MICROCHP
- MTech
- Microchip Technology / Atmel
- MICROCIHIP
- Microchip Technologies
- Microchip / Microsemi
- MICORCHIP
- MICHROCHIP
- Atmel/Microchip
- MICRIOCHIP
- Atmel (Microchip Technology)
- MICROCHIP (ATMEL)
- MICROCHIP TECHNOLOGY (VA)
- Microchip Technology Inc.
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-39
Contact PlatingGold
MountThrough Hole
Number of Pins3
Technical
Ambient Temperature Range High150 °C
Continuous Drain Current (ID)350 mA
Drain to Source Breakdown Voltage90 V
Drain to Source Resistance4 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)90 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
HS Code8541.29.0055, 8542.39.0090
Input Capacitance50 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation6.25 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
PackagingBulk
Power Dissipation6.25 W
Rds On Max4 Ω
Schedule B8542390000
Threshold Voltage800 mV
Turn-Off Delay Time10 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height6.604 mm
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