Littelfuse IXFH12N120P
$ 11.79
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Fiches techniques et documents
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China, Philippines, South Korea
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-09-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTW11NK90Z
STMicroelectronics N-Channel MDmesh SuperMESH MOSFET, Vds=900V, 9.2A, TO-247, TH, 3-Pin
STMicroelectronicsSTW12N120K5
N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package
Descriptions
Descriptions de Littelfuse IXFH12N120P fournies par ses distributeurs.
Single N-Channel 1200 Vds 1.35 Ohm 543 W Power Mosfet - TO-247
Mosfet, N Channel, 1.2Kv, 12A, To-247; |Ixys Semiconductor IXFH12N120P
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1200V, 1.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD
543W(Tc) 30V 6.5V@1mA 103nC@ 10 V 1individualNChannel 1.2KV 1.35Ω@ 500mA,10V 12A 5.4nF@25V TO-247AD Through hole mounting 16.26mm*5.3mm*21.46mm
MOSFET, N CHANNEL, 1.2KV, 12A, TO-247; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 12A; Drain Source Voltage Vds: 1.2kV; On Resistance Rds(on): 1.35ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 6.
Alias du fabricant
Littelfuse possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Littelfuse peut également être connu sous les noms suivants :
- LITTLEFUSE
- Littelfuse Inc
- LITTELFU
- LITTEL
- LITTELFUS
- LIT
- LITTELF
- LITTLE
- LITT
- LITTLEFUSE INC
- LTF
- LTL
- LFUSE
- LIF
- L/F
- LITTLEFUS
- LITTLEFU
- LITTEIFUSE
- Littelfuse/Commercial Vehicle Products
- LTFUSE
- LITTELFUSE FAR EAST PTE LTD
- Hartland Controls / Littelfuse
- LITL
- Littelfuse - Raychem
- LITTELFUSE/WICKMANN
Historique des stocks
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Modèles CAO
0 modèles disponibles
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Drain to Source Breakdown Voltage1.2 kV
Drain to Source Resistance1.35 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)1.2 kV
Element ConfigurationSingle
Fall Time34 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance5.4 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation543 W
Min Breakdown Voltage1.2 kV
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation543 W
Rds On Max1.35 Ω
Resistance1.35 Ω
Reverse Recovery Time300 ns
Rise Time25 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage6.5 V
Turn-Off Delay Time62 ns
Fiches techniques et documents
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