ROHM SCT2450KEC
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-01-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2021-10-15
LTD Date2021-10-15
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTW13NK100Z
N-CHANNEL 1000V 0.56 Ohm 13.5A TO-247 ZENER-PROTECTED SUPERMESH™ POWER MOSFET
STMicroelectronicsSTW15N95K5
N-channel 950 V, 0.41 Ohm typ., 12 A SuperMESH(TM) 5 Power MOSFET in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW12N120K5
N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package
InfineonIPW90R500C3FKSA1
MOSFET N-CH 900V 11A TO247-3 / N-Channel 900 V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Descriptions
Descriptions de ROHM SCT2450KEC fournies par ses distributeurs.
Single N-Channel 85 W 1200 V 585 mOhm Flange Mount MosFet - TO-247-3
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1200V, 0.585ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Mosfet, N Channel, 1.2Kv, 10A, 0R45, To-247-3; Mosfet Configuration:Single; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:1.2Kv; On Resistance Rds(On):0.45Ohm; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Rohm SCT2450KEC
Alias du fabricant
ROHM possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. ROHM peut également être connu sous les noms suivants :
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
Modèles CAO
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Drain to Source Breakdown Voltage1.2 kV
Drain to Source Resistance585 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)1.2 kV
Element ConfigurationSingle
Fall Time34 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)22 V
Input Capacitance463 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation85 W
Min Breakdown Voltage1.2 kV
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Elements1
Rds On Max585 mΩ
Resistance585 mΩ
Rise Time17 ns
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time38 ns
Turn-On Delay Time19 ns
Dimensions
Height5.03 mm
Length15.9 mm
Width20.95 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant