Infineon SPD30P06PGBTMA1

Name: Infineon SPD30P06PGBTMA1
Brand: Infineon
SKU: SPD30P06PGBTMA1

Transistor, Mosfet, P-channel, -60V, 0.075 Ohm, -30A, TO252-3, Sipmos Power

$ 0.618

NRND

Page du fabricant Fiche technique

Prix et stock

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	3	SPD30P06PGBTMA1	5 000	2500							2d
Newark	2	SPD30P06PGBTMA1	343	1	Cut Tape	1,990	1,270	0,855	0,855	0,855
Arrow Electronics	2	SPD30P06PGBTMA1	4 839	1		0,730	0,730	0,730	0,730	0,730
Rochester Electronics		SPD30P06PGBTMA1	126 784					0,681	0,565	0,504	20h
RS (Formerly Allied Electronics)		SPD30P06P G	10	1	Bulk	0,270	0,270	0,270	0,270	0,270	13h

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Newark

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iiiC

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Chaîne d'approvisionnement

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 months ago)

Pièces détachées

onsemiFDD3682

N-Channel PowerTrench® MOSFET, 100V, 32A, 0.036 ohm

Détails

onsemiFDD8796

PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 25V, 35A, 5.7mΩ

Détails

onsemiFDD5810

TRANS MOSFET N-CH 60V 7.7A 3PIN DPAK

Détails

Diodes Inc.DMN4010LK3-13

DMN Series 40 V 11.5 mOhm 1.6 W SMT N-Ch Enhancement Mode Mosfet - SOT-252-3L

Détails

STMicroelectronicsSTD30NF06LT4

N-Channel 60V - 0.022Ohm - 35A - DPAK StripFET(TM) II POWER MOSFET

Détails

InfineonIPD350N06LGBTMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 29A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / OptiMOS® Power-Transistor

Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon SPD30P06PGBTMA1 fournies par ses distributeurs.

TRANSISTOR, MOSFET, P-CHANNEL, -60V, 0.075 OHM, -30A, TO252-3, SIPMOS POWER

RS (Formerly Allied Electronics)

Single P-Channel 60 V 75 mOhm 32 nC SIPMOS® Power Mosfet - TO-252-3

Future Electronics

Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.075ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252

Semicontronic

Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:30A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V; Power Dissipation:125W; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies SPD30P06PGBTMA1.

Newark

Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and figure of merit characteristics.

Infineon

Transistor Polarity = P-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 30 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 60 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 75 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 20 / Rise Time ns = 11 / Turn-OFF Delay Time ns = 30 / Turn-ON Delay Time ns = 13 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-252 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Automotive Qualification Standard = AEC-Q101 / Power Dissipation (Pd) W = 125

Distrelec

Images

RS (Formerly Allied Electronics)

Future Electronics

LZChips

iiiC

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

SP000441776
SPD30P06P G
SPD30P06PGBTMA1.

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Spécifications techniques

Physical

Case/PackageTO-252

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Technical

Continuous Drain Current (ID)30 A

Drain to Source Breakdown Voltage-60 V

Drain to Source Resistance75 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)-60 V

Fall Time20 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance1.228 nF

Max Dual Supply Voltage-60 V

Max Junction Temperature (Tj)175 °C

Max Operating Temperature175 °C

Min Breakdown Voltage60 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

On-State Resistance75 mΩ

Package Quantity2500

PackagingTape & Reel

Power Dissipation125 W

Rise Time11 ns

Schedule B8541290080

Turn-Off Delay Time30 ns

Turn-On Delay Time13 ns

Dimensions

Height2.5 mm

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Conformité

Classification environnementale

China RoHSNon-Compliant

Halogen FreeNot Halogen Free

Lead FreeContains Lead

REACH SVHCNo

RoHSCompliant

Déclarations de conformité

Conflict Mineral StatementN/AN/A