Infineon SPD18P06PGBTMA1

MOSFET, P-CH, 60V, 18.6A, TO-252; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drai
$ 0.514
NRND
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Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
NewarkSPD18P06PGBTMA15 0921
Arrow Electronics
3
SPD18P06PGBTMA18 8311
DigiKey
3
SPD18P06PGBTMA1CT-ND2 7941Cut Tape
Rochester ElectronicsSPD18P06PGBTMA120 573
20h
AvnetSPD18P06PGBTMA102500
23h

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon SPD18P06PGBTMA1.

IHS

Datasheet10 pagesIl y a 26 ans

Arrow Electronics

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2008-02-19
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 months ago)
LTB Date2026-09-30
LTD Date2027-03-31

Pièces détachées

onsemiNTD20N03L27G
Tube Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 20A Ta 20A 74W 31ns
Détails
STMicroelectronicsSTD15NF10T4
N-Channel 100V - 0.06Ohm - 23A - DPAK LOOhm GATE CHARGE StripFET(TM) II POWER MOSFET
Détails
onsemiFDD6630A
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 30V, 21A, 35mΩ
Détails
onsemiFDD8447L-F085
PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 40V, 50A, 11.0mΩ
Détails
onsemiHUF75309D3S
19 A 55 V 0.07 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-252AA
Détails
STMicroelectronicsSTD20NF06LT4
Trans MOSFET N-CH 60V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon SPD18P06PGBTMA1 fournies par ses distributeurs.

MOSFET, P-CH, 60V, 18.6A, TO-252; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drai
Newark
Single P-Channel 60 V 130 mOhm 22 nC SIPMOS® Power Mosfet - DPAK
Future Electronics
Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Verical
SIPMOS POWER-TRANSISTOR Power Field-Effect Transistor, 18.6A I(D), 60V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AB
ComSIT Distribution GmbH
Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and figure of merit characteristics.
Infineon
MOSFET, P-CH, 60V, 18.6A, TO-252; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-18.6A; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):0.1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-3V; Power Dissipation Pd:80W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:175°C; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012); Operating Temperature Range:-55°C to +175°C
Farnell

Images

Augswan
TME
element14 APAC
RS
Farnell
RS APAC
Future Electronics
LZChips
Rochester Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • SP000443926
  • SPD18P06P G
  • SPD18P06P-G
  • SPD18P06PG