Infineon SPD08P06PGBTMA1

MOSFET, P-CH, 60V, 8.83A, DPAK; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain
$ 0.315
NRND
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Avnet
2
47W37584 9261
2d
NewarkSPD08P06PGBTMA14 9261
Arrow Electronics
2
SPD08P06PGBTMA12 5621
Rochester ElectronicsSPD08P06PGBTMA111 686
21h
DigiKey
2
SPD08P06PGBTMA1CT-ND5 3021Cut Tape

Fiches techniques et documents

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-08-29
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 months ago)

Pièces détachées

InfineonIRFR120NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.21Ohm;ID 9.4A;D-Pak (TO-252AA);PD 48W
Détails
InfineonIRFR120NTRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.21Ohm;ID 9.4A;D-Pak (TO-252AA);PD 48W
Détails
InfineonIRFR120NTRLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.21Ohm;ID 9.4A;D-Pak (TO-252AA);PD 48W
Détails
onsemiSFT1443-TL-W
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Détails
Diodes Inc.DMP10H400SK3-13
Single P-Channel 100 V 300 mOhm 8.4 nC 42 W Silicon SMT Mosfet - TO-252-3
Détails
onsemiHUF75925D3ST
MOSFET N-CH 200V 11A DPAK
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon SPD08P06PGBTMA1 fournies par ses distributeurs.

MOSFET, P-CH, 60V, 8.83A, DPAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain
Newark
Single P-Channel 60 V 300 mOhm 10 nC SIPMOS® Power Mosfet - TO-252-3
Future Electronics
Power Field-Effect Transistor, 8.83A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
IHS
Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and figure of merit characteristics.
Infineon
MOSFET, P-CH, 60V, 8.83A, DPAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-8.83A; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):0.23ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-6.2V; Threshold Voltage Vgs:-3V; Power Dissipation Pd:42W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:175°C; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012); Operating Temperature Range:-55°C to +175°C
Farnell

Images

TME
Newark
RS
element14 APAC
element14 APAC
Future Electronics
LZChips
Rochester Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • SP000450534
  • SPD08P06P G