Infineon SPB08P06PGATMA1

MOSFET, P-CH, 60V, 8.8A, TO-263; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain
Obsolete
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
FarnellSPB08P06PGATMA101
17h
Win Source
2
WS-SPB08P06PG6 24945
19h
Worldway Electronics
2
SPB08P06PG12 6877
17h
AztechSPB08P06PGATMA110 891
14h
AnlinkdaSPB08P06PG37 112
1d

Fiches techniques et documents

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IHS

Datasheet8 pagesIl y a 19 ans

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-08-26
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2019-11-15
LTD Date2020-05-15

Pièces détachées

VishayIRF520SPBF
3.7W(Ta),60W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 16nC@ 10 V 1N 100V 270m¦¸@ 5.5A,10V 9.2A 360pF@25V D2PAK
Détails
InfineonSPB10N10L G
Trans MOSFET N-CH 100V 10.3A 3-Pin(2+Tab) TO-263
Détails
onsemiFQB9N08TM
MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK / N-Channel 80 V 9.3A (Tc) 3.75W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Détails
onsemiFQB10N20LTM
MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK
Détails
InfineonSPB03N60C3ATMA1
Trans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Détails
onsemiSFW9530TM
MOSFET P-CH 100V 10.5A D2PAK
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon SPB08P06PGATMA1 fournies par ses distributeurs.

MOSFET, P-CH, 60V, 8.8A, TO-263; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain
Newark
Power Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
IHS
MOSFET, P-CH, 60V, 8.8A, TO-263; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-8.8A; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):0.221ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-3V; Power Dissipation Pd:42W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:175°C; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012); Operating Temperature Range:-55°C to +175°C
Farnell
Infineons highly innovative OptiMOS families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and figure of merit characteristics. | Summary of Features: Enhancement mode; Avalanche rated; Pb-free lead plating; RoHS compliant; Small Signal packages approved to AEC Q101 | Target Applications: Automotive; Consumer; DC-DC; eMobility; Motor control; Notebook; Onboard charger
Infineon

Images

Augswan
element14 APAC
element14 APAC
TME
RS
Rochester Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • SP000102179
  • SPB08P06P G
  • SPB08P06PG