Infineon IRS2001SPBF
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8542.39.00.60
Introduction Date2006-09-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2023-09-15
LTD Date2024-03-15
Pièces détachées
onsemiNCP5109ADR2G
85ns 2 10V 170ns 20V 800mV,2.3V Non-Inverting IGBT,MOSFET,N 35ns 250mA,500mA SOIC-8 , 1.5mm
onsemiNCP5109BDR2G
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC / Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
onsemiNCP81071BDR2G
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC / Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
MicrochipMIC4127YME
MOSFET Driver 2 outputs, Low Side, 4.5V-20V supply, 1.5A and 8 ohm output, SOIC-8
MicrochipTC4427EOA713
Tape & Reel (TR) TC4427 Low-Side 2003 gate driver 30ns -40C~150C TJ 1.5A 1.5A 470mW
MicrochipMIC4126YME
Tube MIC4126 Low-Side 2005 gate driver 13ns -40C~125C TJ 1.5A 1.5A 0.8V 2.4V
Descriptions
Descriptions de Infineon IRS2001SPBF fournies par ses distributeurs.
Tube IRS2001SPBF Half-Bridge 1996 gate driver 170ns -40C~150C TJ 290mA 600mA 625mW
IRS2001 Series 200 V 290 mA 20 V Supply Dual High And Low Side Driver - SOIC-8
70ns 2 10V 220ns 20V 800mV,2.5V Non-Inverting IGBT,MOSFET,N 35ns 290mA,600mA SOIC-8 1.5mm
200 V High and Low Side Driver IC with typical 0.29 A source and 0.6 A sink currents in 8 Lead PDIP package for IGBTs and MOSFETs. Also available in 8 Lead SOIC and 14 Lead MLPQ 4x4. | Summary of Features: Floating gate driver designed for bootstrap operation; Fully operational to +200 V; Tolerant to negative transient voltage, dV/dt immune; Gate drive supply range from 10 V to 20 V; Undervoltage lockout; 3.3 V, 5 V, and 15 V logic input compatible; Matched propagation delay for both channels; Output in phase with input
MOSFET, DR, HI/LO SIDE, 200V, 8SOIC; Device Type:MOSFET; Module Configuration:High Side / Low Side; Peak Output Current:600mA; Input Delay:160ns; Output Delay:150ns; Supply Voltage Range:10V to 20V; Driver Case Style:SOIC; No. of Pins:8; Operating Temperature Range:-40°C to +125°C; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Base Number:2001; No. of Outputs:2; Offset Voltage:200V; Output Current:130mA; Output Current + Max:130mA; Output Current - Max:270mA; Output Voltage:220V; Output Voltage Max:20V; Output Voltage Min:10V; Package / Case:SOIC; Power Dissipation Pd:6250mW; Supply Voltage Max:20V; Supply Voltage Min:10V; Termination Type:SMD
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOP
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Ambient Temperature Range High125 °C
Channel TypeIndependent
Fall Time35 ns
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature125 °C
Max Output Current600 mA
Max Power Dissipation625 mW
Max Supply Current270 µA
Max Supply Voltage20 V
Min Operating Temperature-40 °C
Min Supply Voltage10 V
Nominal Supply Current270 µA
Number of Channels2
Number of Circuits1
Number of Drivers2
Number of Outputs2
Operating Supply Voltage15 V
Output Current130 mA
Output Voltage220 V
Package Quantity3800
Power Dissipation625 mW
Propagation Delay220 ns
Release Time150 ns
Rise Time70 ns
Temperature GradeAutomotive
Turn-Off Delay Time150 ns
Turn-On Delay Time160 ns
Dimensions
Height1.72 mm
Height - Seated (Max)1.75 mm
Length4.9 mm
Terminal Pitch1.27 mm
Width3.9 mm
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Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité