Infineon IRLU3110ZPBF
$ 2.56
Obsolete
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
Distributeur
SKU
Minimum
Emballage
Prix de gros
Historique des stocks
Aucune donnée disponible
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon IRLU3110ZPBF.
Modèles CAO
Téléchargez les symboles Infineon IRLU3110ZPBF, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.
| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 EE Concierge | SymboleEmpreinte | ||
 Ultra Librarian | SymboleEmpreinte | Télécharger |
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.
Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-01-31
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 months ago)
LTB Date2024-09-30
LTD Date2025-03-31
Pièces détachées
InfineonIRFU4510PBF
MOSFET N-CH 100V 56A IPAK N-Channel 100 V 56A (Tc) 143W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
InfineonIRLU120NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.185Ohm;ID 10A;I-Pak (TO-251AA);PD 48W
Descriptions
Descriptions de Infineon IRLU3110ZPBF fournies par ses distributeurs.
MOSFET N-CH 100V 42A IPAK N-Channel 100 V 42A (Tc) 140W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
MOSFET, 100V, 63A, 14 mOhm, 34 nC Qg, Logic Level, I-Pak
MOSFET N-CH 100V 42A IPAK / Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package, IPAK-3, RoHS
Infineon SCT
HEXFET Power MOSFET Power Field-Effect Transistor, 63A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:63A; On Resistance Rds(On):0.011Ohm; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.5V; Msl:- Rohs Compliant: Yes
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 63 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 14 / Gate-Source Voltage V = 16 / Fall Time ns = 48 / Rise Time ns = 110 / Turn-OFF Delay Time ns = 33 / Turn-ON Delay Time ns = 24 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-251 / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / Packaging = Tube / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 140
MOSFET, N, 100V, I-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:63A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):14ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.5V; Power Dissipation Pd:140W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:I-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Cont Current Id @ 100°C:45A; Cont Current Id @ 25°C:63A; Current Id Max:42A; Package / Case:IPAK; Power Dissipation Pd:140W; Power Dissipation Pd:140W; Pulse Current Idm:250A; Rth:1.05; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds:100V; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:16V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:2.5V; Voltage Vgs th Min:1V
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Historique des stocks
Aucune donnée disponible
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)63 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance14 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Dual Supply Voltage100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time48 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance3.98 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation140 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2.5 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance14 mΩ
Package Quantity3000
Power Dissipation140 W
Rds On Max14 mΩ
Rise Time110 ns
Schedule B8541290080
TerminationThrough Hole
Threshold Voltage2.5 V
Turn-Off Delay Time33 ns
Turn-On Delay Time24 ns
Dimensions
Height9.75 mm
Length6.6 mm
Width2.3 mm
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon IRLU3110ZPBF.
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité