Infineon IRLR7843TRPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 30V; Rds(on) 2.6MILLIOHMS; Id 161A; D-pak (TO-252AA); Vf 1V
$ 0.551
Production
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Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
AvnetIRLR7843TRPBF12 0002K
4d
Newark
3
IRLR7843TRPBF1 2555Cut Tape
Future Electronics
2
IRLR7843TRPBF10 0002KTape & Reel
Arrow Electronics
3
IRLR7843TRPBF7901
Rochester Electronics
2
IRLR7843TRPBF6 900
23h

Fiches techniques et documents

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Newark

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-07-15
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Pièces détachées

InfineonIRLR7843PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 2.6Milliohms;ID 161A;D-Pak (TO-252AA);VF 1V
Détails
InfineonIRLR8743TRPBF
Mosfet IC; Transistor Type:MOSFET; Package/Case:3-TO-251; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes
Détails
InfineonIRLR8743PBF
IRLR8743PBF N-channel MOSFET Transistor, 160 A, 30 V, 3-Pin DPAK
Détails
onsemiFDD8870
PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 30V, 160A, 3.9mΩ
Détails
onsemiNTD4854NT4G
Power MOSFET 25 V, 124 A, Single N-Channel
Détails
onsemiFDD8874
PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 30V, 116A, 5.1mΩ
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IRLR7843TRPBF fournies par ses distributeurs.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 2.6Milliohms;ID 161A;D-Pak (TO-252AA);VF 1V
RS (Formerly Allied Electronics)
Single N-Channel 30 V 3.3 mOhm 34 nC HEXFET® Power Mosfet - DPAK
Future Electronics
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 161 A, 0.0026 ohm, TO-252AA, Surface Mount
Avnet
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Semicontronic
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Low RDS(ON) at 4.5V VGS; Fully Characterized Avalanche Voltage and Current; Ultra-Low Gate Impedance; Logic Level
Infineon
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:161A; On Resistance, Rds(on):4mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Package/Case:D-Pak ;RoHS Compliant: Yes
Newark
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 161 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 30 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 3.3 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 19 / Rise Time ns = 42 / Turn-OFF Delay Time ns = 34 / Turn-ON Delay Time ns = 25 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-252 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 140
Distrelec

Images

Infineon
element14
RS (Formerly Allied Electronics)
element14
Distrelec
TME
Future Electronics
iiiC
Newark
LZChips
LCSC
Rochester Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IRFIRLR7843TRPBF
  • IRLR7843TRPBF.
  • SP001569090