Infineon IRLML2803TRPBF
$ 0.115
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : +181%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Modèles CAO
Téléchargez les symboles Infineon IRLML2803TRPBF, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.
| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 EE Concierge | SymboleEmpreinte | ||
 Ultra Librarian | SymboleEmpreinte | Télécharger |
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1995-07-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
InfineonIRLML5103TRPBF
INFINEON IRLML5103PBF MOSFET Transistor, P Channel, 610 mA, -30 V, 600 mohm, -10 V, -1 V
InfineonIRLML5103GTRPBF
-30V Single P-Channel Lead Free HEXFET Power MOSFET in a Halogen Free Micro3 package
Descriptions
Descriptions de Infineon IRLML2803TRPBF fournies par ses distributeurs.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.25Ohm;ID 1.2A;Micro3;PD 540mW;VGS +/-20V
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package, SOT23-3, RoHS
Infineon SCT
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 850 mA, 0.25 ohm, SOT-23, Surface Mount
MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: SOT-23 Polarity: N Power dissipation: 540 mW
HEXFET Power MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
N Channel Mosfet, 30V, 1.2A, Sot-23; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:850Ma; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:1V; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRLML2803TRPBF.
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
MOSFET, N REEL 3K; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:0.85A; Resistance, Rds On:0.3ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:1V; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:7.3A; External Depth:2.5mm; External Length / Height:1.12mm; No. of Pins:3; Power Dissipation:0.4W; Power, Pd:0.4W; Quantity, Reel:3000; SMD Marking:1B; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Temperature, Tj Min:-55°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:30V; Voltage, Vgs th Max:2.5V; Width, External:3.05mm; Width, Tape:8mm
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : +181%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.2 A
Current12 A
Current Rating1.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance250 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Dual Supply Voltage30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time1.7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance85 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation280 mW
Manufacturer Package IdentifierMicro3
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance250 mΩ
Package Quantity3000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation340 mW
Rds On Max250 mΩ
Resistance250 mΩ
Rise Time4 ns
Schedule B8541210080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time9 ns
Turn-On Delay Time3.9 ns
Voltage30 V
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height1.12 mm
Length3.0226 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité