Infineon IRLML0100TRPBF

Power MOSFET, N Channel, 100 V, 1.6 A, 220 Milliohms, SOT-23, 3 Pins, Surface Mount
$ 0.189
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Avnet
2
60R64488 5501
4h
Newark
2
IRLML0100TRPBF8 5541Cut Tape
Future Electronics
2
IRLML0100TRPBF312 0003KTape & Reel
Arrow ElectronicsIRLML0100TRPBF2321
RS (Formerly Allied Electronics)IRLML0100TRPBF010Bulk
15h

Fiches techniques et documents

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IHS

Datasheet11 pagesIl y a 16 ans

Newark

iiiC

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-11-24
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

Pièces détachées

Diodes Inc.DMN10H220L-7
TRANSISTOR, 100V, N-CHANNGEL, ENHANCEMENT MODE MOSFET, 1.6A, SOT-23
Détails
onsemiFDN8601
MOSFET, N CH, 100V, 2.7A, SSOT-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drai
Détails
onsemiCPH3462-TL-W
N-Channel Power MOSFET, 100V, 1A, 785mΩ
Détails
onsemiCPH3362-TL-W
Single P-Channel 100 V 0.7 A 3.7 nC Surface Mount Power Mosfet - SOT-23
Détails
Diodes Inc.DMN10H700S-13
MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23 / N-Channel 100 V 700mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Détails
Diodes Inc.DMN10H700S-7
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 700 mA, 0.7 ohm, SOT-23, Surface Mount
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IRLML0100TRPBF fournies par ses distributeurs.

Power MOSFET, N Channel, 100 V, 1.6 A, 220 Milliohms, SOT-23, 3 Pins, Surface Mount
EBV Elektronik
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package, SOT23-3, RoHS
Infineon SCT
MOSFET Transistor; 100V; 1.6A; 1.3W; -55+150stc; SOT233
Maritex
N CHANNEL MOSFET, 100V, 1.6A SOT-23; TRA; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.6A;
element14 APAC
MOSFET, 100V, 1.6A, 220 MOHM, 2.5 NC QG, SOT-23
RS (Formerly Allied Electronics)
MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: SOT-23 Polarity: N Power dissipation: 1.3 W
Distrelec
100V 1.6A 1.3W 220m´Î@10V1.6A 2.5V@25Ã×A N Channel SOT-23(SOT-23-3) MOSFETs ROHS
Dasenic
Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
Semicontronic
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:1.6A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2.5V; Power Dissipation:1.3W; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRLML0100TRPBF.
Newark
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Infineon

Images

RS
RS
Augswan
reichelt
element14 APAC
TME
element14
Farnell
Distrelec
Distrelec
Conrad
TME
International Rectifier
Micros
LCSC
LZChips
iiiC
Future Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IRFIRLML0100TRPBF
  • IRLML0100
  • IRLML0100TRPBF.
  • SP001568612