Infineon IRL3103STRLPBF
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1996-11-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2014-10-25
LTD Date2015-04-25
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTB70NF3LLT4
N-CHANNEL 30V - 0.008 OHM - 70A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET
onsemiNTB75N03RG
Tube Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 9.7A Ta 75A Tc 75A 74.4W 18.4ns
STMicroelectronicsSTB55NF03LT4
N-Channel 30V - 0.01 Ohm - 55A - D2PAK STripFET(TM) II POWER MOSFET
Descriptions
Descriptions de Infineon IRL3103STRLPBF fournies par ses distributeurs.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 12 Milliohms;ID 64A;D2Pak;PD 94W;VGS +/-16V
Single N-Channel 30 V 12 mOhm 33 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fully Avalanche Rated; Logic Level
Trans MOSFET N-CH 30V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N-CH, 30V, 64A, TO-263AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:64A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.012ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V; Powe
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:12A; On Resistance, Rds(on):64mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:16V; Package/Case:D2-Pak; Power Dissipation, Pd:94W ;RoHS Compliant: Yes
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageD2PAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)64 A
Current Rating64 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance12 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9.1 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance1.65 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation94 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance12 mΩ
Package Quantity800
PackagingBulk
Power Dissipation83 W
Rds On Max12 mΩ
Resistance12 MΩ
Rise Time120 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time14 ns
Turn-On Delay Time8.9 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height4.826 mm
Length10.668 mm
Width9.65 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeContains Lead
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité