Infineon IRL1404ZSTRLPBF
$ 0.866
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | IRL1404ZSTRLPBF | 234 100 | 9h | |||||||||
| Arrow Electronics | IRL1404ZSTRLPBF | 3 180 | 1 | |||||||||
| DigiKey | IRL1404ZSTRLPBFCT-ND | 297 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Newark | IRL1404ZSTRLPBF | 0 | 3200 | Tape & Reel | ||||||||
| Future Electronics | IRL1404ZSTRLPBF | 0 | 800 | Tape & Reel |
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Pièces détachées
STMicroelectronicsSTB120N4LF6
N-channel 40 V, 3.1 mOhm, 80 A, D2PAK STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET
STMicroelectronicsSTB120N4F6
N-channel 40 V, 3.5 mOhm typ., 80 A STripFET F6 Power MOSFET in D2PAK package
STMicroelectronicsSTB155N3LH6
N-channel 30 V, 0.0024 Ohm, 80 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in D2PAK package
InfineonIRF2804STRLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 40V;RDS(ON) 1.8Milliohms;ID 75A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-20
InfineonIRF1503STRLPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Descriptions
Descriptions de Infineon IRL1404ZSTRLPBF fournies par ses distributeurs.
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 40V, 200A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Cont
Single N-Channel 40 V 3.1 mOhm 35 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Pb free
Avnet Japan
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N-CH, 40V, 120A, TO-263AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:120A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0025ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.7V;
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 200 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 40 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 3.1 / Gate-Source Voltage V = 16 / Fall Time ns = 49 / Rise Time ns = 180 / Turn-OFF Delay Time ns = 30 / Turn-ON Delay Time ns = 19 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-263 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 230
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance3.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time49 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance5.08 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation230 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance3.1 mΩ
Package Quantity800
Power Dissipation230 W
Rds On Max3.1 mΩ
Resistance3.1 MΩ
Rise Time180 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time19 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.668 mm
Width9.65 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité