Infineon IRGB8B60KPBF
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-10-16
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2009-08-19
LTD Date2010-02-19
Pièces détachées
InfineonIRGB10B60KDPBF
IRGB10B60 Series 600 V 22 A 156 W Insulated Gate Bipolar Transistor - TO-220AB
InfineonIRG4BC30KDPBF
Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube, TO220COPAK-3, RoHS
InfineonIRGB4056DPBF
600 V, 12 A IGBT with anti-parallel diode in TO-220AB package, TO220COPAK-3, RoHS
onsemiHGTP7N60A4
Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube / IGBT 600V 34A 125W TO220AB
onsemiISL9V3040P3
Trans IGBT Chip N=-CH 390V 21A 150000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Descriptions
Descriptions de Infineon IRGB8B60KPBF fournies par ses distributeurs.
Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
600V UltraFast 10-30 kHz Copack IGBT in a TO-220AB package
Insulated Gate Bipolar Transistor, 28A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
IGBT, 600V, 17A, TO-220; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:28A; Collector Emitter Voltage Vces:2.2V; Power Dissipation Pd:167W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Ic Continuous a Max:28A; Fall Time Max:56ns; Fall Time tf:56ns; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Max:167W; Power Dissipation Pd:167W; Power Dissipation Pd:167W; Power Dissipation Ptot Max:167W; Pulsed Current Icm:56A; Rise Time:21ns; SMD Marking:IRGB8B60K; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:600V
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Continuous Collector Current28 A
Current Rating28 A
Element ConfigurationSingle
Fall Time56 ns
Max Collector Current28 A
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation140 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation167 W
Rise Time26 ns
TerminationThrough Hole
Turn-Off Delay Time140 ns
Turn-On Delay Time23 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Dimensions
Height22.86 mm
Length10.54 mm
Width4.69 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité