Infineon IRGB14C40LPBF
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-10-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2019-10-15
LTD Date2020-04-15
Pièces détachées
onsemiISL9V3040P3
Trans IGBT Chip N=-CH 390V 21A 150000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
onsemiHGTP7N60A4
Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube / IGBT 600V 34A 125W TO220AB
InfineonIRGB4056DPBF
600 V, 12 A IGBT with anti-parallel diode in TO-220AB package, TO220COPAK-3, RoHS
InfineonIRG4BC30UPBF
Transistor; IGBT; TO-220AB; 23 A; 600 V (Min.); 100 W (Max.); + 20 V (Max.)
InfineonIRGB10B60KDPBF
IRGB10B60 Series 600 V 22 A 156 W Insulated Gate Bipolar Transistor - TO-220AB
Descriptions
Descriptions de Infineon IRGB14C40LPBF fournies par ses distributeurs.
IRGB14C40LPBF Series 430 V 14 A N-Channel Ignition IGBT - TO-220AB
Trans IGBT Chip N-CH 370V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
430V Low-Vceon Discrete IGBT in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 370V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
IGBT Housing type: TO-220 Collector-emitter breakdown voltage: 430 V Collector-emitter saturation voltage: 1.4 V Power dissipation: 125 W
Transistor; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Collector Current, Ic:20A; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):1.75V; Power Dissipation, Pd:125W; Package/Case:TO-220AB ;RoHS Compliant: Yes
IGBT, 430V, 20A, TO-220; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:20A; Collector Emitter Voltage Vces:1.75V; Power Dissipation Pd:125W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:430V; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Clamping Voltage:430V; Current Ic Continuous a Max:20A; Current Temperature:25°C; Device Marking:IRGB14C40LPbF; Fall Time Max:2.8ns; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction Temperature Tj Max:175°C; Junction Temperature Tj Min:-40°C; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Max:125W; Power Dissipation Pd:125W; Power Dissipation Pd:125W; Rise Time:2400ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:430V
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.000006 g
Technical
Clamping Voltage430 V
Collector Emitter Breakdown Voltage430 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.4 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)370 V
Current Rating14 A
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current20 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Elements1
Package Quantity1000
PackagingBulk
Power Dissipation125 W
Rise Time4 µs
Schedule B8541290080
TerminationThrough Hole
Turn-Off Delay Time6 µs
Turn-On Delay Time900 ns
Voltage Rating (DC)430 V
Dimensions
Height15.24 mm
Length10.5156 mm
Width4.69 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeContains Lead, Lead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité